4月8日消息，揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工藝，針對電機驅動、BMS等應用設計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。

N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核心的功率控制部件。

揚杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多個SGT工藝系列產(chǎn)品，解決客戶的多種應用需求。

產(chǎn)品特點：

1.采用SGT工藝，極低的Rdson和優(yōu)異的開關特性，帶來更低的FOM，減小系統(tǒng)損耗。

2. 和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化，設計MOSFET驅動時有更多選擇。

3.針對系統(tǒng)應用中的各種異常工作狀態(tài)，優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS特性，提高系統(tǒng)可靠性。

電性參數(shù)：