IT之家 7 月 28 日消息，據(jù)浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心發(fā)布，近日浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉戆l(fā)展新契機。

據(jù)介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導體器件的發(fā)展至關重要。目前，國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達到 6 英寸，但其厚度通常在~20-30 mm 之間，導致一個碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當有限。

科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度主要挑戰(zhàn)在于其生長時厚度的增加及源粉的消耗對生長室內(nèi)部熱場的改變。針對挑戰(zhàn)，浙江大學通過設計碳化硅單晶生長設備的新型熱場、發(fā)展碳化硅源粉的新技術、開發(fā)碳化硅單晶生長的新工藝，顯著提升了碳化硅單晶的生長速率，成功生長出了厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質(zhì)量達到了業(yè)界水平。