在 NPN 晶體管中，集電極相對于發(fā)射極正向偏置，使得基極/集電極結反向偏置。因此，在結處沒有光的情況下，正常漏電流或暗電流流動非常小。當光落在基極上時，該區(qū)域會形成更多的電子/空穴對，并且該作用產(chǎn)生的電流被晶體管放大。

在 NPN 晶體管中，集電極相對于發(fā)射極正向偏置，使得基極/集電極結反向偏置。因此，在結處沒有光的情況下，正常漏電流或暗電流流動非常小。當光落在基極上時，該區(qū)域會形成更多的電子/空穴對，并且該作用產(chǎn)生的電流被晶體管放大。
通常光電晶體管的靈敏度是晶體管直流電流增益的函數(shù)。因此，總體靈敏度是集電極電流的函數(shù)，并且可以通過在基極和發(fā)射極之間連接電阻來控制，但對于非常高靈敏度的光耦合器類型應用，通常使用達林頓光電晶體管。

光電達林頓晶體管使用第二個雙極 NPN 晶體管來提供額外的放大，或者當由于低光水平或選擇性靈敏度而需要更高靈敏度的光電探測器時，但其響應比普通 NPN 光電晶體管慢。
光電達林頓器件由普通光電晶體管組成，其發(fā)射極輸出耦合到較大雙極 NPN 晶體管的基極。由于達林頓晶體管配置提供的電流增益等于兩個單獨晶體管??的電流增益的乘積，因此光電達林頓器件產(chǎn)生非常靈敏的檢測器。
光電晶體管光傳感器的典型應用是光隔離器、槽型光開關、光束傳感器、光纖和電視遙控器等。檢測可見光時有時需要紅外濾光片。
另一種值得一提的光結半導體光傳感器是光電晶閘管。這是一種光控晶閘管或可控硅整流器，SCR，可用作交流應用中的光控開關。然而，與同等光電二極管或光電晶體管相比，它們的靈敏度通常非常低。
為了幫助提高其對光的敏感度，光電晶閘管在柵極結周圍做得更薄。這個過程的缺點是它限制了它們可以切換的陽極電流量。然后，對于更高電流的交流應用，它們被用作光耦合器中的引導裝置，以切換更大的更傳統(tǒng)的晶閘管。