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全球首發(fā),復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊研制二維半導(dǎo)體芯片“無極”

作者: 時間:2025-04-03 來源:IT之家 收藏

4 月 2 日消息,集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的 32 位 RISC-V 架構(gòu)微處理器“”。

本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/202504/468973.htm

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據(jù)介紹,該成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸,首次實現(xiàn) 5900 個晶體管的集成度,并在國際上實現(xiàn)二維邏輯芯片最大規(guī)模驗證紀(jì)錄,是由復(fù)旦團(tuán)隊完成、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)技術(shù),使我國在新一代芯片材料研制中,占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢。

“反相器是一個非?;A(chǔ)且重要的邏輯電路,它的良率直接反映了整個芯片的質(zhì)量?!?a class="contentlabel" href="http://www.ljygm.com/news/listbylabel/label/復(fù)旦大學(xué)">復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授周鵬介紹,二維材料不像硅晶圓可以通過直拉法生長出高質(zhì)量的大尺寸單晶,而是需要通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法來生長,這就導(dǎo)致了材料本身的缺陷和不均勻性。本項研究中的反相器良率高達(dá) 99.77%,具備單級高增益和關(guān)態(tài)超低漏電等優(yōu)異性能,這是一個工程性的突破。

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▲將 ENIAC 和 Intel 4004 以及誕生年實現(xiàn)了加法上的運算聯(lián)系

團(tuán)隊通過柔性等離子(Plasma)處理技術(shù)等低能量工藝,對二維半導(dǎo)體表面進(jìn)行加工,從而避免了高能粒子對材料造成的損害,充分發(fā)揮出二維半導(dǎo)體的優(yōu)勢,也確保芯片質(zhì)量。

另外,成果產(chǎn)品具備單級高增益和關(guān)態(tài)超低漏電等優(yōu)異性能。團(tuán)隊通過嚴(yán)格的自動化測試設(shè)備測試,驗證了在 1 kHz 時鐘頻率下,千門級芯片可以串行實現(xiàn) 37 種 32 位 RISC-V 指令,滿足 32 位 RISC-V 整型指令集(RV32I)要求。其集成工藝優(yōu)化程度和規(guī)?;娐返尿炞C結(jié)果,均達(dá)到了國際同期最優(yōu)水平。

相關(guān)成果于北京時間 4 月 2 日晚間以《基于二維半導(dǎo)體的 RISC-V 32 比特微處理器》(“A RISC-V 32-Bit MicroprocessorBased on Two-dimensional Semiconductors”)為題發(fā)表于《自然》(Nature)期刊。



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