東芝發(fā)布新一代BiCS FLASH 全球首款256Gb、48層堆疊閃存
東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結構閃存注2,該閃存容量達到256Gb(32GB),同時采用了行業(yè)領先的三階存儲單元(TLC)技術。這款全新閃存適用于各種產品應用,包括消費級固態(tài)硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級SSD。據(jù)悉,樣品將于9月開始發(fā)貨。
本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/278974.htm東芝全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™
東芝BiCS FLASHTM采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝,超越主流2D NAND閃存的容量,同時提高了可寫入/擦除次數(shù)及可靠性,并提高了寫入速度。
自2007年在全球首次推出了3D堆疊式結構閃存以來注3,東芝一直致力于優(yōu)化大批量生產的研發(fā)。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求,東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域,積極推動3D堆疊式結構閃存,推出SSD等產品組合。
東芝于1987年在世界上最早開發(fā)出NAND閃存,作為閃存世界的締造者,一直秉承專業(yè)的精神,為消費者提供高速、優(yōu)質的專業(yè)閃存體驗。目前,這一產品在東芝四日市工廠開始生產,預計于2016年上半年完工的新工廠也將生產該產品。
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