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長江存儲(chǔ)主導(dǎo)混合鍵合專利，韓存儲(chǔ)巨頭三星和SK海力士壓力山大

隨著存儲(chǔ)器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對(duì)較少，大幅低于競爭對(duì)手長江存儲(chǔ)。據(jù)報(bào)道，三星電子已與長江存儲(chǔ)簽署了一項(xiàng)許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲(chǔ)的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認(rèn)為難以避免。報(bào)告指出，長江存儲(chǔ)在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
關(guān)鍵字：長江存儲(chǔ) 混合鍵合三星 SK海力士

撐不住, SK海力士DRAM漲12%

全球存儲(chǔ)器市場近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。根據(jù)最新市場動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調(diào)通知，自4月1日起，對(duì)所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲(chǔ)器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)了對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲(chǔ)器國際大廠集中資源，生
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DDR4加速退場，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王

4月24日消息，韓國內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財(cái)報(bào)，Q1營業(yè)利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達(dá)到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績，此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達(dá)HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強(qiáng)勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報(bào)告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4

三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認(rèn)為，市場景氣低迷，上游存儲(chǔ)器廠加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時(shí)將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價(jià)格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應(yīng)鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL）
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗(yàn)證，引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新

2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證，是基于CXL* 2.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴(kuò)展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運(yùn)營數(shù)據(jù)中心時(shí)所需的總體擁有成本*。”繼96GB產(chǎn)品驗(yàn)證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗(yàn)證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級(jí)（1b）32Gb
關(guān)鍵字： SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達(dá)70%

4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會(huì)持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
關(guān)鍵字： SK海力士三星 DRAM

美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士

SK海力士完成對(duì)英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購

據(jù)韓媒報(bào)道，根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機(jī)構(gòu)FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當(dāng)時(shí)支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對(duì)價(jià)取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計(jì)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關(guān)有形/無形資產(chǎn)。
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SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預(yù)計(jì)下半年量產(chǎn)

自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲(chǔ)器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實(shí)現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級(jí)電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運(yùn)行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時(shí)，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
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SK海力士宣布全球首次向客戶提供“12層HBM4”樣品

2025年3月19日，SK海力士宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“以引領(lǐng)HBM市場的技術(shù)競爭力和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，能夠比原計(jì)劃提早實(shí)現(xiàn)12層HBM4的樣品出貨，并已開始與客戶的驗(yàn)證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，由此鞏固在面向AI的新一代存儲(chǔ)器市場領(lǐng)導(dǎo)地位?！贝舜翁峁┑?2層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲(chǔ)器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。此產(chǎn)品首次實(shí)現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶
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SK海力士完成90億美元收購英特爾閃存業(yè)務(wù)塵埃落定

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局加速重構(gòu)的背景下，韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士即將為英特爾NAND業(yè)務(wù)畫上句號(hào)。根據(jù)最新進(jìn)展，SK海力士將在未來幾周內(nèi)支付最后一筆22.4億美元款項(xiàng)，標(biāo)志著歷時(shí)五年的90億美元收購案正式收官。這一交易不僅宣告了英特爾徹底退出閃存市場，更讓SK海力士在與三星的競爭中握有新籌碼。此次收購涵蓋英特爾大連工廠的NAND制造業(yè)務(wù)及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，其固態(tài)硬盤部門則獨(dú)立為Solidigm子公司。值得關(guān)注的是，隨著最后階段資金到位，SK海力士將獲得大連工廠的完整技術(shù)控制權(quán)。集邦咨詢分析指出，此次整合有望推動(dòng)S
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SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域

3月7日消息，近日，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道，SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門，該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲(chǔ)和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢下，將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲(chǔ)部門聚合為一個(gè)整體，才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲(chǔ)器競爭力。
關(guān)鍵字： SK海力士 CIS CMOS AI存儲(chǔ)器

SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時(shí)間點(diǎn)）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用，存儲(chǔ)需求正在不斷增長，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒有停止擴(kuò)張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對(duì)手三星展開直接競爭。· 2020年10月，SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
關(guān)鍵字： SK海力士英特爾 NAND 閃存

SK海力士正在開發(fā)低功耗LPDDR5M：能效提高8%

2月28日消息，SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M，其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術(shù)突破預(yù)計(jì)將廣泛應(yīng)用于具備設(shè)備端AI功能的智能手機(jī)中，使其在本地運(yùn)行密集型操作時(shí)消耗更少的電量，從而滿足設(shè)備制造商對(duì)高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測，SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時(shí)，SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的研發(fā)也取得了重要進(jìn)展
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長江存儲(chǔ)主導(dǎo)混合鍵合專利，韓存儲(chǔ)巨頭三星和SK海力士壓力山大

撐不住, SK海力士DRAM漲12%

DDR4加速退場，DDR5成為主流

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三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4

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美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

SK海力士完成對(duì)英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購

SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預(yù)計(jì)下半年量產(chǎn)

SK海力士宣布全球首次向客戶提供“12層HBM4”樣品

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