- 三大原廠紛紛縮減舊制程產能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產，美光亦通知客戶停產服務器用舊制程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產出比重降至20%。法人認為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產品。短期內內存價格受到關稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產（EOL）
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- 全球前三的內存制造商美光，不堪自家總統的對等關稅壓力，在全球開起漲價第1槍，要將關稅轉嫁給客戶，因其海外生產基地主要位于亞洲，包括中國大陸、中國臺灣、日、星和大馬等，被加征10%-104%關稅，雖然半導體產品豁免關稅，但用于汽車、筆電和服務器等的內存模組和固態(tài)硬盤（SSD）仍要收關稅，不得不告知美國客戶，從美國時間4月9日起將加收產品附加費。據路透報道，美光透過信函告知美國客戶，從今（4/9）起部分產品將額外收費，以抵銷特朗普的對等關稅沖擊。 但美光并未回應路透報道。美國總統特朗普在4/2解放日，宣布4/
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- 4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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- 美光已確認其提高內存價格的計劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強勁。該公司的最新公告表明，隨著供應限制以及人工智能、數據中心和消費電子產品的需求增長推高了成本，價格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價格上漲之際，內存市場正從供應過剩和收入下降的時期反彈。在過去的一年里，由于主要供應商的減產以及對高性能計算和 AI 工作負載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價格穩(wěn)步回升。隨著美光確認有意提高價格，三星和 SK 海力士等其他內存制造商預計將效仿，進一步鞏固價格上漲趨勢。
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- NAND Flash價格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調漲報價，近期市場傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠均將從4月起提高報價。由于二大韓廠減產措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導致NAND供貨轉趨吃緊，長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調漲代理價格，漲幅可望將超過10%，全球各大原廠不約而同推動漲價，NAND價格回漲速度優(yōu)于原先預期。存儲器業(yè)界觀察，近期整體終端市場的需求并
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- 3月7日消息，美光推出了一款新的基于PCIe 6.x協議的固態(tài)硬盤原型產品，順序讀取速度達到了驚人的27GB/s，成為目前全球最快的PCIe 6.x SSD。這一速度不僅超越了美光去年推出的26GB/s的PCIe 6.x SSD，更是將現有PCIe 5.0 SSD的性能遠遠甩在身后。在數據中心連接解決方案提供商Astera Labs的展示中，美光的PCIe 6.x SSD原型搭配了Astera Labs的Scorpio P系列交換機，該交換機擁有64個PCIe 6.x通道和四端口架構。此外通過NVIDIA
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- 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節(jié)點?DDR5?內存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點的領先優(yōu)勢，1γ DRAM?節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應用到端側?AI?設備（如?AI PC、智能手
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- DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術的創(chuàng)新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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- 根據市場研究機構Gartner的最新報告，2024年全球半導體收入總額達到了6260億美元，同比增長18.1%。預計2025年全球半導體市場將繼續(xù)增長，總收入將進一步增長至7050億美元。Gartner研究副總裁George Brocklehurst表示：“數據中心應用（服務器和加速卡）中使用的GPU和AI處理器是2024年芯片行業(yè)的主要驅動力。由于對AI和生成式AI工作負載的需求日益增長，數據中心在2024年成為了僅次于智能手機的第二大半導體市場，數據中心半導體總收入從2023年的648億美元增至112
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- 2月16日消息，據調研機構Counterpoint的最新報告，全球半導體市場（包括存儲產業(yè)）在2024年預計將實現強勁復蘇，全年營收同比增長19%，達到6210億美元。這一增長主要得益于人工智能技術需求的大幅增加，尤其是內存市場和GPU需求的持續(xù)推動。從廠商來看，三星電子以11.8%的市場份額位居全球第一，隨后分別是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特爾（4.9%）、美光（4.8%）、英偉達（4.3%）、AMD（4.1%）、聯發(fā)科（2.6%）和西部數據（2.5%）。需要注意的是，此
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- 全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
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- 1月14日消息，據報道，三星將于北京時間1月23日02:00舉辦Galaxy Unpacked January 2025，發(fā)布新一代Galaxy S25系列手機，包括Galaxy S25、Galaxy S25+和Galaxy S25 Ultra三款機型。據悉，三星Galaxy S25系列已確定將標配高達12GB的內存，并且有望全系列均搭載了美光的LPDDR5X內存芯片。此番選擇美光而非自家產品，核心原因在于三星自家內存芯片存在過熱的技術難題。值得注意的是，美光所提供的12納米級LPDDR5X芯片，在性能表
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- 1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布擴充旗下?Crucial?英睿達品牌消費級內存和存儲產品組合，包括推出高速?Crucial?英睿達?P510 SSD?新品，并增加現有DRAM?產品的密度和外形規(guī)格選項，為消費者提供更廣泛和更靈活的選擇。其中，P510?是一款?PCIe 5.0 NVMe SSD，讀寫速度分別高達?11,000 MB/s和?9,550 MB
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- 1月6日消息， 美光在CES 2025推出了一款全新的低功耗PCIe 5.0固態(tài)硬盤 ——Crucial P510。P510是美光繼T700和T705之后推出的第三款PCIe Gen 5 SSD ，也是P系列首款PCIe Gen 5 SSD，或者說該公司首款主流NVMe SSD。P510搭載了高性能的群聯(Phison) E31T主控芯片，并創(chuàng)新性地取消了DRAM緩存設計，卻在性能上毫不妥協。 其1TB與2TB版本分別實現了驚人的11000MB/s順序讀取速度和9550MB/s順序寫入
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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