- 隨著許多應用逐漸被開發(fā)，微控制器的市場不斷的成長，其中32位微控制器的成長幅度已超越8位，各家廠商無不使出渾身解數(shù)，提高32位微控制器產(chǎn)品的性能以搶攻龐大的市場商機。而16位也不若人后，透過混合式的IP核心，更進一步提升效能，積極突圍。
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MCU 瑞薩
- 瑞薩電子（中國）宣布在大中國區(qū)推出超低功耗的新型RL78族微控制器（MCU）。RL78族融合了R8C和78K（78K0，78K0R）兩族產(chǎn)品的優(yōu)勢特性，實現(xiàn)了更低的功耗、更優(yōu)的性能和更高的集成度，并可提供強大的移植路徑。新產(chǎn)品采用了全新的RL78 CPU內(nèi)核，該款內(nèi)核以低功耗、高性能78K0R CPU內(nèi)核為基礎，整合了R8C族和78K族各種強大的外設功能，適用于包括電池供電設備和家用電器在內(nèi)的大量應用。
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瑞薩 MCU RL78
- 瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預計還可用于通信基站和服務器等配備的PFC(功率因數(shù)校正)電路以及逆變器電路。瑞薩計劃從2011年10月開始少量量產(chǎn)，2012年3月以后以10萬個/月的規(guī)模量產(chǎn)。該公司還打算在2011年度內(nèi)，樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。
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瑞薩 功率半導體
- “世界半導體峰會@東京2011～半導體產(chǎn)業(yè)，成長宣言～”(2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開，《日經(jīng)電子》主辦)隆重舉行，各大半導體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。
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瑞薩 MCU
- 瑞薩電子開發(fā)出了利用與標準CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術。該項技術面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)?！?/li>
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瑞薩 DRAM CMOS
- 為降低成本，集成元件大廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)委外代工已成既定趨勢，然隨著大陸市場崛起，以及大陸本土晶圓代工廠實力逐漸增強，加上價格較為便宜，IDM未來恐進一步將委外訂單釋出給大陸晶圓代工廠，將威脅臺積電與聯(lián)電的接單量。
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瑞薩 晶圓
- 為了因應全球節(jié)能需求日益高漲，東芝(Toshiba)和瑞薩電子(Renesas Electronics)等日本半導體廠商紛紛計劃增強可刪減家電耗電力的電源控制芯片產(chǎn)能。據(jù)報導，瑞薩電子計劃于2012年度結(jié)束前(2013年3月底前)將2座采用8吋晶圓的工廠合計產(chǎn)能提高至現(xiàn)行的2倍。
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瑞薩 電源控制芯片
- 2010年12月2日，瑞薩電子（中國）宣布在大中國區(qū)推出超低功耗的新型RL78族微控制器（MCU）。RL78族融合了R8C和78K（78K0，78K0R）兩族產(chǎn)品的優(yōu)勢特性，實現(xiàn)了更低的功耗、更優(yōu)的性能和更高的集成度，并可提供強大的移植路徑。新產(chǎn)品采用了全新的RL78 CPU內(nèi)核，該款內(nèi)核以低功耗、高性能78K0R CPU內(nèi)核為基礎，整合了R8C族和78K族各種強大的外設功能，適用于包括電池供電設備和家用電器在內(nèi)的大量應用。
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瑞薩 RL78
- 日前，瑞薩電子開始在中國推廣78款超低功耗內(nèi)置閃存32位微控制器，并于即日起開始提供樣品。產(chǎn)品優(yōu)化了配置的外部引腳數(shù)量及內(nèi)置閃存容量，以滿足高性能、小型設備的需求。
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瑞薩 V850ES
- 2010年12月2日，北京 – 瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱瑞薩電子）今天宣布，開始在中國推廣其新一代RX族32位微控制器（MCU），包括RX62N群、RX621群和RX62T群。
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瑞薩 RX
- 12月初，在北京、深圳、上海三地舉行的“瑞薩中國論壇2010”上，一個以半導體為核心構(gòu)建的“綠色智慧地球”影像每每沖擊來賓視覺，讓人印象深刻。
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瑞薩 MCU
- 本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產(chǎn)品開發(fā)提供參考性的設計意見。
MOSFET以其電壓控制、開關頻率高、開關速度快等優(yōu)點，廣泛應用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應用十分廣泛。
MOSFET最重要的兩個參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察，因為它們只有
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Renesas MOSFET
- 身為全球第1大MCU(Micro Controller Unit)供應商，市占率高達30%以上的瑞薩電子(Renesas)，近幾年來在全球MCU市場開疆闢士的好表現(xiàn)，足以成為日本科技公司的表率，而日系企業(yè)細心、負責、強調(diào)質(zhì)量與效能的特色，更讓瑞薩在非常強調(diào)服務內(nèi)容及中、長期合作關系的MCU市場里如魚得水，并立下5年后在全球MCU市占率達到 35%為目標。
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瑞薩 MCU
- 瑞薩電子2010年10月19日宣布，該公司面向微控制器產(chǎn)品開發(fā)出了尺寸可削減至裸片大小的封裝技術“FO-WLP(Fan-Out Wafer-Level Package)”。采用FO-WLP的微控制器預定2011年底開始樣品供貨。據(jù)瑞薩介紹，利用該技術，可將裸片尺寸為1.6mm×1.6mm的 8bit微控制器的封裝體積由原來的3mm×3mm×0.7mm削減80%至2mm×2mm×0.3mm。
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瑞薩 微控制器 封裝技術
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車身控制模塊集成了很多功能，如，如門鎖和燈光。車身控制需要根據(jù)傳輸目的地和車輛類型，處理噪音干擾的低EMI特性，和當點火開關關閉時，為抑制電池消耗來實現(xiàn)低功耗，通過CAN或LIN總線，存儲器，或擴展包，在車內(nèi)進行通訊。我們的32位汽車應用微控制器就能滿足這些要求。我們的智能功率器件（IPDs）也適合于車內(nèi)設備驅(qū)動控制。IPD是一種車內(nèi)功率器件，它在一個封裝中集成了功率MOSFET，保護電路，和監(jiān)測輸出，可以減少尺寸和重量，并提高車載設備的可靠性。
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Renesas 車身控制
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