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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！

  • 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結(jié)構(gòu)決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計未來幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
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大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設(shè)計

  • TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計，該參考設(shè)計為 OEM 和設(shè)計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)（包括用于驅(qū)動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅(qū)動強度的高性能隔離式柵極驅(qū)動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
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碳化硅下游市場需求旺盛 企業(yè)紛紛擴張產(chǎn)能加速出貨

  • 隨著碳化硅（SiC）在電動汽車、新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應(yīng)用場景主要包括電動汽車、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來，我國在碳化硅領(lǐng)域的研究和應(yīng)用取得快速發(fā)展，一些項目已經(jīng)落地實施。例如，在新能源汽車的高壓充電技術(shù)方面，碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料，其需求正日益增長?！疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、導(dǎo)熱好、耐高溫等優(yōu)點，是實現(xiàn)高壓快充技
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

  • 隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計人員有一個優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設(shè)計需要在設(shè)計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動器可以減少 30% 的能量損耗，同時限度地延長系統(tǒng)正常運行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
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碳化硅熱度，只增不減

  • 在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導(dǎo)體價值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產(chǎn)能，并且在未來的五年里，它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動作中也可窺見一二。國內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機構(gòu)的青睞，相繼宣布完成融資，行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數(shù)量達到 15 起。2022 年也是碳化
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高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計理念

  • 合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSF
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全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？

  • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響。” Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進行長期
  • 關(guān)鍵字： SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  

意法半導(dǎo)體是怎樣煉成巨頭的？擅長聯(lián)合，布局多重應(yīng)用，投資未來

  • 歐洲是世界半導(dǎo)體的重要一極，ST（意法半導(dǎo)體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱為歐洲半導(dǎo)體的三駕馬車，也是全球知名的半導(dǎo)體巨頭。ST的特點是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應(yīng)用市場，ST要靠自己找市場、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問題。據(jù)市場研究機構(gòu)Garnter數(shù)據(jù)，ST 2022年營收158.4億美元，年增長率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導(dǎo)體公司。大浪淘沙、洗牌無數(shù)的半導(dǎo)體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導(dǎo)體巨頭的？又是如何布局未來的？表1 202
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英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

  • 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計，同時以低成本實現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動？這款I(lǐng)C方案推薦給您

  • 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元

  • 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導(dǎo)體的價值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導(dǎo)體，車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應(yīng)用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議

  • 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅(qū)動。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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