碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會(huì)”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會(huì)”，屆時(shí)將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進(jìn)的電源設(shè)計(jì)和應(yīng)用技術(shù)。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費(fèi)報(bào)名通道已開啟! 一年一度的“ROHM技術(shù)研討會(huì)”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動(dòng)足跡遍及全國各地，是羅姆與業(yè)界友人交流互動(dòng)、分享經(jīng)驗(yàn)的良好平臺(tái)。今年，根據(jù)各個(gè)城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)使用BJT而非MOSFET？
- MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱
- 關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器 連續(xù)電流
功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡析
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 電源
干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享
- 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力，還具有
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門
- 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)
MOSFET開關(guān)損耗分析
- 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
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大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)
- 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 MOSFET
SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)14億美元
- 市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預(yù)測到2023年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，2016年至2023年間的復(fù)合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進(jìn)一步提升至40%。 包括xEV、xEV充電基
- 關(guān)鍵字： SiC PFC
功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗
碳化硅(sic)mosfet介紹
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