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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長約

  • 據外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據報道涉及供應數(shù)量達數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商。“在 意法半導體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統(tǒng)方面的經驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數(shù)量生產模塊。”意法半導體汽車和分立
  • 關鍵字： 采埃孚  意法半導體  碳化硅  

頭部企業(yè)再簽供貨長約，全球碳化硅市場高速成長

  • 據外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質上的需求。采埃孚將于2025年量產新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
  • 關鍵字： 碳化硅  意法半導體  

碳化硅風頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

  • 近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進化半導體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
  • 關鍵字： 碳化硅  氧化鎵  

汽車結構性缺芯 國產碳化硅功率半導體有望四季度“上車”

  • 4月7日，中國汽車芯片產業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間，第一財經記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會，降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。　　汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會　　有行業(yè)專家向第一財經記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經記者
  • 關鍵字： 汽車電子  功率半導體  碳化硅  

Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數(shù)據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
  • 關鍵字： Diodes  碳化硅 MOSFET  

貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

  • 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經過優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
  • 關鍵字： 貿澤  安森美  EliteSiC  碳化硅  

功率半導體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單

  • 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優(yōu)勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
  • 關鍵字： 功率半導體  盛美上海  Ultra C SiC  襯底清洗  

連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

  • ３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯(lián)網和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網讓我們曾經暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
  • 關鍵字： Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

SiC功率半導體市場分析；廠商談IGBT大缺貨

  • 根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
  • 關鍵字： SiC  功率半導體  IGBT  美光  

GaN 出擊

  • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
  • 關鍵字： GaN  SiC  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 關鍵字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊   

OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大

  • EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
  • 關鍵字： Qorvo  OBC  SiC  

TechInsights：2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元，中國占一半

  • IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報告稱，隨著電池電動汽車的發(fā)展，汽車半導體的需求激增，寬帶隙技術的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當前約 364.11
  • 關鍵字： 碳化硅  

英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動社會永續(xù)發(fā)展

  • 日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負責人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業(yè)績，同時探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務布局。 2022財年英飛凌全球營收達到142.18億歐元，利潤達到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營收中的占比高達37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場的地位，為公司全球業(yè)務的發(fā)展提供
  • 關鍵字： 英飛凌  數(shù)字化  低碳化  SiC  

Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

  • 中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達
  • 關鍵字： Qorvo  750V  SiC FETs  
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碳化硅（sic）介紹

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