絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)
分享：IGBT的檢測方法
- IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測電阻法判別結(jié)
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大功率電源中IGBT電壓與驅(qū)動(dòng)能力是什么關(guān)系?
- IGBT作為電壓控制型開關(guān)器件，IGBT的開關(guān)由柵極的電壓控制。大家都知道柵極電壓升高，IGBT導(dǎo)通，柵極電壓低，IGBT關(guān)斷。但是使用的時(shí)候還是很容易忽略
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三個(gè)將造成IGBT損壞的低級(jí)操作錯(cuò)誤
- 熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感，在使用過程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時(shí)，需
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解讀電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測試
- 電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路
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一顆IGBT如何撬動(dòng)電動(dòng)汽車逆變器？
- 電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路
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IGBT的特點(diǎn)、應(yīng)用及未來的研究方向
- 近年來，IGBT被廣泛關(guān)注，隨著技術(shù)的發(fā)展，其應(yīng)用前景被廣泛看好，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT，在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓
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IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識(shí)學(xué)習(xí)
- IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！ ±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開關(guān)特性)?！ ?dòng)態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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五大領(lǐng)域齊發(fā)力 三菱電機(jī)創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)搶占市場新高地
- 隨著功率半導(dǎo)體的不斷發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步，功率器件下游產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步擴(kuò)張，未來在政策資金支持以及國內(nèi)新能源汽車的蓬勃發(fā)展下，國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。 6月26日，PCIM 亞洲 2018展會(huì)在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強(qiáng)企業(yè)，同時(shí)也是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開拓者，大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體攜多款功率器件產(chǎn)品及相關(guān)解決方案亮相，同時(shí)發(fā)布了更高集成度、更小體積、更能降低生產(chǎn)成本，并擁有全面保護(hù)功能的表面貼裝型IPM，以及助力新能源發(fā)電應(yīng)用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產(chǎn)品?！ ?圖一：2018
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發(fā)力新能源汽車市場 華虹宏力榮膺功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)
- 《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確表示國家將大力發(fā)展新能源汽車，而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件，國產(chǎn)化替代需求巨大。6月22日，“2018國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇”在北京舉行，旨在把行業(yè)最優(yōu)的核心器件推廣至新能源汽車應(yīng)用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸代工廠，華虹宏力在IGBT代工領(lǐng)域有口皆碑，始終以深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和卓越的性能品質(zhì)深受客戶認(rèn)可，會(huì)上被授予“新能源汽車功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)”?！ ?/li>
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英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個(gè)電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案
- 英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。英飛凌將在2號(hào)館的F 01展臺(tái)，展示涵蓋整個(gè)電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會(huì)上進(jìn)行交流。 從前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到數(shù)字化功率創(chuàng)新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù)，英飛凌芯片對于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著至關(guān)重要的作用。此次，英飛凌將圍繞“賦能世
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超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性
- 英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評(píng)的基于單硅芯片設(shè)計(jì)的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動(dòng)設(shè)備，這些應(yīng)用的特點(diǎn)是對功率損耗的要求很高?！ 〔捎眯滦蚉rime Soft二極管的客戶將受益于行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通損耗。這是通過單硅芯片設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的，與多芯片二極管相比，其
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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