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靜態(tài)隨機(jī)存儲器(sram) 文章 進(jìn)入靜態(tài)隨機(jī)存儲器(sram)技術(shù)社區(qū)

新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

  • 摘要: 本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性存儲器NVSRAM??梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM 概述眾所周知,在非易失性存儲器領(lǐng)域,市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫,即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器,并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢, NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲器應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字: 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費(fèi)電子  雜志_技術(shù)長廊  存儲器  消費(fèi)電子  

用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流,進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此,在關(guān)鍵、核心設(shè)備中,必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題   通常,采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種:由計(jì)算機(jī)通過下載電纜配置、用專用配置芯片(如Altera公司的EPCX系列芯片)配置、采用存儲器
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網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的SRAM

  • 引言同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎,用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時(shí)間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn),系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、包緩沖、隊(duì)列管理和存儲分配器。 如今,人們對所有路由器和交換機(jī)的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫)搜索。計(jì)數(shù)器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數(shù)量,并獲取統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計(jì)來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱為NetFlow),從而完成問題檢測和判定。隨著每個(gè)信息包處理量的增加,需要采用包
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IDT70V9289型高速同步雙口SRAM的原理及應(yīng)用

  • IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM),可實(shí)現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。
  • 關(guān)鍵字: V9289  SRAM  IDT    

德州MIT DARPA合力打造65納米SRAM

  • ISSCC 會議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)超低功耗 日前,麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究員將在著名的國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進(jìn) 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM) 測試器件。該款 SRAM&
  • 關(guān)鍵字: MIT  DARPA  SRAM  德州  存儲器  

為實(shí)現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)

  • 按慣例,設(shè)計(jì)人員總把SRAM 作為其最基本的形式,即單端口、單時(shí)鐘域器件。在需要更高性能時(shí),設(shè)計(jì)人員通常會選擇更高的時(shí)鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能,但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進(jìn)通信系統(tǒng)的存儲器,這就將工作重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了帶寬,而不是時(shí)鐘頻率。存儲器帶寬的定義為:給定時(shí)間內(nèi)可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計(jì)算出帶寬:帶寬=I/O速度
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支持高性能應(yīng)用的SRAM

  • SRAM一直是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的重要組成部分,它可提高帶寬,從而在許多高性能應(yīng)用中起著主導(dǎo)作用。這些應(yīng)用包括無總線時(shí)延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內(nèi)存帶寬要求而論,分組處理對內(nèi)存帶寬的要求最高。分組處理塊內(nèi)部的多個(gè)功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構(gòu)。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構(gòu),以滿足這些網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的需求。本文重點(diǎn)介紹針對網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供的高級 SRAM 架構(gòu)。此外,還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構(gòu)的各種應(yīng)用以及促使用戶選擇 SRAM 的標(biāo)準(zhǔn)。 網(wǎng)
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靜態(tài)隨機(jī)存儲器(sram)介紹

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