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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 靜態(tài)隨機存儲器（sram）

靜態(tài)隨機存儲器（sram） 文章 進入靜態(tài)隨機存儲器（sram）技術社區(qū)

基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲

  • 1引言我們將針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出...
  • 關鍵字： FPGA  SRAM  

富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作

  • 　　富士通半導體有限公司和SuVolta公司宣布，通過將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。 　　從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務器，以及網(wǎng)絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電
  • 關鍵字： 富士通  SRAM  

富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊

  • 　　富士通半導體和SuVolta宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。 　　從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務器，以及網(wǎng)絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電壓又是決定功耗的重要因素
  • 關鍵字： 富士通  SRAM   

富士通半導體與SuVolta攜手合作

  • 富士通半導體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
  • 關鍵字： 富士通  SuVolta  SRAM  

新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設計

  • 摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結構，該結構采用讀／寫分開技術，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且該結構在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持數(shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持數(shù)據(jù)。仿真顯示了正
  • 關鍵字： 單元  設計  SRAM  功耗  可靠性  新型  

非易失性SRAM DS1747

  • DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的 ...
  • 關鍵字： SRAM  DS1747  

Altera 選擇賽普拉斯的高容量QDR?II 和 QDRII+ SRAM器件用于28 納米 Stratix V FPGA 開發(fā)套件

  • 2011年10月24日，北京訊，加州圣何塞訊——SRAM領域的業(yè)界領先者賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日...
  • 關鍵字： SRAM  賽普拉斯  FPGA  

科學家研制出新型鐵電晶體管隨機存取存儲器

  • 　　據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學學會的《納米快報》雜志上。 　
  • 關鍵字： FeTRAM  SRAM  

嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用

  • 嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標準功能。本文重點討論的一個內(nèi)容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個標準功能。　　M4K內(nèi)核SRAM接口基本描述
  • 關鍵字： SRAM  接口  應用  內(nèi)核  處理器  MIPS32  M4K  嵌入式  

基于SRAM的可重配置電路PLD

  • 本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路，該控制電路結構簡單、占用空間小、性價比較高，適用于需要ICR功能的電子裝置中，該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來設計的，稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個配置電路的主要弱點在于配置速率較慢，只能適應用于配置速率要求不高的應用。
  • 關鍵字： SRAM  PLD  可重配置  電路    

賽普拉斯推出32位總線寬度低耗異步SRAM

  • 　　賽普拉斯半導體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領域的應用需求。 　　
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  

賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM

  • 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領域的應用需求。
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  

Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

  • Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究,引言
    目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中，如果SRAM硬件出錯，將導致程序出錯而且很難被發(fā)現(xiàn)
  • 關鍵字： 軟件  檢測  研究  故障  單元  M3  SRAM  Cortex  

四倍速SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計

  • 互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展極大地促進了高速數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的需求量增加，同時也促進了更快速的處理器的發(fā)展，推動了存儲器...
  • 關鍵字： SRAM  Spartan3  

QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計

  • QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計,為了滿足當前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求，更新的靜態(tài)存儲器應運而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡系統(tǒng)應用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結構的同步靜態(tài)存儲器?！　? QDR SRAM的
  • 關鍵字： 接口  設計  FPGA  Spartan3  SRAM  QDR  
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靜態(tài)隨機存儲器（sram）介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條靜態(tài)隨機存儲器（sram）!
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