12lp+finfet 文章 進入12lp+finfet技術(shù)社區(qū)
FinFET并非半導體演進最佳選項
- 在歷史上，半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體，不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點，難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以
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Cadence物理驗證系統(tǒng)通過FinFET制程認證
- 重點： ·?認證確保精確性方面不受影響，并包含用于65納米至14納米FinFET制程的物理驗證簽收的先進技術(shù) ·?雙方共同的客戶可通過它與Cadence?Virtuoso及Encounter平臺的無縫集成進行版圖設(shè)計和驗證版圖 全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司今天宣布Cadence??Physical?Verification?System?(PVS)通過了GLOBALFOUNDRIES的認證，可用于65納米
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下一代晶體管技術(shù)何去何從
- 大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續(xù)多久和為什么要替代他們? 在近期內(nèi)，從先進的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 半導體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后，到5nm時，可能會有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
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Synopsys力挺臺積電16納米FinFET
- 全球IC矽智財供應(yīng)商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管)，全力協(xié)助臺積電加入導入這項新制程量產(chǎn)行列。 新思科技是「臺積電大同盟」成員之一，昨天也宣布獲臺積電頒發(fā)開放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」，以表彰對臺積電先進制程的貢獻。 臺積電16納米FinFET制程，是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術(shù)，臺積電將以大同盟的陣營，聯(lián)合IP、自動化工具、設(shè)備及芯片設(shè)計業(yè)的力量應(yīng)戰(zhàn)。臺積電16納米預定明年第4季試產(chǎn)，2015年第1季量產(chǎn)。
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FinFET新技術(shù)對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響
- FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設(shè)計，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。 FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
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FinFET引爆投資熱 半導體業(yè)啟動新一輪競賽
- 半導體業(yè)界已發(fā)展出運用FinFET的半導體制造技術(shù)，對制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。 過去數(shù)10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料，電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導體晶片。 然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰(zhàn)
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設(shè)計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到2
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爭搶1xnm代工商機 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。 FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時刻設(shè)定于2014?2015年;同時也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀
- 英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計咨詢公司之一的英盛德認為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設(shè)計商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設(shè)計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
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