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NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā)
- NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展,其應用環(huán)境的廣泛性,復雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求,需要閃存設備傳輸速度更快,體積更小,容量更大,穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410 - 關(guān)鍵字: NandFLASH NorFLASH 接口設計 驅(qū)動開發(fā)
晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動,中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告,報告顯示,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動,中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位?! ?014年中國成立大基金以來,促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長,目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出,目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目,代工廠、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字: 晶圓 DRAM 3D NAND
3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導體參展PCIM Asia引關(guān)注

- 6月26日-28日,基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會?! 』景雽w展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調(diào),獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?! ∪颡殑?chuàng)3D SiC?技術(shù) 展會期間,基本半導體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
- 關(guān)鍵字: 基本半導體 3D SiC技術(shù) 碳化硅功率器件
費恩格爾:全面屏時代的3D—TOF
- 談到生物識別,有兩點不得不談,其中一個是算法,另一個便是傳感器。在費恩格爾CEO黃昊看來,生物識別的關(guān)鍵在于算法,算法是提供今天生物識別行業(yè)的基礎。 細細看來,從光學指紋到電容指紋,從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋,這是整個指紋識別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識別在手機端的應用提高到一個新高度,出現(xiàn)了人臉識別算法。不變的是,人臉識別在智能手機的出現(xiàn),它最重要的一個前提就是自學算法對傳統(tǒng)人臉識別算法的支撐。 指紋傳感器也被堪稱為生物
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后,開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度,日前耕耘工業(yè)領域有成,將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問世,預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣,同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn),除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域,也積極推動工業(yè)領域應用,日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
人機界面技術(shù)大盤點
- 人機界面技術(shù)大盤點- 人機界面,真正意義上的人機交互方式是人將擺脫任何形式的交互界面,輸入信息的方式變得越來越簡單、隨意、任性,借助于人工智能與大數(shù)據(jù)的融合,能夠非常直觀、直接、全面地捕捉到人的需求,并且協(xié)助處理。
- 關(guān)鍵字: 人機交互 NaturalID 3D-Touch ClearPad3350
3d-nandflash介紹
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