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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國(guó) Etnews 報(bào)道，三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤(rùn)或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?，Etnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場(chǎng)的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調(diào)通知，自4月1日起，對(duì)所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調(diào)整，漲幅將超過(guò)10%。市場(chǎng)分析人士指出，存儲(chǔ)器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)了對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲(chǔ)器國(guó)際大廠集中資源，生
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來(lái)2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計(jì)劃在第7代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來(lái)2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過(guò)深入研究和對(duì)比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲(chǔ)
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高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒
- 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計(jì)版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒錯(cuò)，“吸金”，各種資金正從各種投資計(jì)劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個(gè)人工智能資本支出空前高漲的時(shí)代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達(dá)（Nvidia）、AMD等公司的高性能計(jì)算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點(diǎn)的同時(shí)，用于存儲(chǔ)訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來(lái)了屬于
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營(yíng)收第一：HBM市占率高達(dá)70%
- 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營(yíng)收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營(yíng)收與市占率的增長(zhǎng)至少會(huì)持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場(chǎng)占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(zhǎng)”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過(guò)剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國(guó)接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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下游客戶庫(kù)存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫(kù)存。為確保2025年下半年產(chǎn)線供料穩(wěn)定，庫(kù)存水
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美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV
- 美光經(jīng)過(guò)多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點(diǎn)的誕生。
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世
- 3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來(lái)計(jì)算需求
- 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設(shè)計(jì)的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級(jí)）DRAM?節(jié)點(diǎn)?DDR5?內(nèi)存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，1γ DRAM?節(jié)點(diǎn)的這一新里程碑將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè)?AI?設(shè)備（如?AI PC、智能手
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消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問英偉達(dá)
- 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國(guó)英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問。此次訪問的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計(jì)，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計(jì)劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過(guò)熱問題。該
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SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
- 據(jù)韓媒報(bào)道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求，預(yù)計(jì)SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商
- 三星Galaxy S25系列可能會(huì)選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對(duì)三星內(nèi)存技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競(jìng)爭(zhēng)的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗(yàn)）部門交付Galaxy S25系列手機(jī)開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
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買方采購(gòu)策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場(chǎng)因智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國(guó)可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%，若計(jì)入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預(yù)計(jì)下跌0%至5%。PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價(jià)格反
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
美國(guó)商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國(guó)生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息，美國(guó)商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國(guó)制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國(guó)商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國(guó)商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴(kuò)建
- 關(guān)鍵字： 美國(guó) 美光科技 生產(chǎn)芯片 半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存芯片 存儲(chǔ)芯片
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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