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歐洲重啟存儲芯片生產：德國鐵電FMC押注新非易失性內存技術FeRAM

  • 4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國DRAM 工廠破產關停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產?！?圖源：Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術。該技術采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-
  • 關鍵字： 歐洲  存儲芯片  生產  德國  鐵電FMC  非易失性內存  FeRAM  

從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求

  • 在人工智能大型模型和邊緣智能領域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。2020-2024年全球存儲器市場規(guī)模及增速富士通半導體（即將更名為RAMXEED）作為FeRAM產品全球兩個主要供應商之一，只專注于高性能存儲器FeR
  • 關鍵字： 富士通  RAMXEED  FeRAM  

【對話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路

  • _____隨著人工智能和大數(shù)據(jù)技術的飛速發(fā)展，對算力和存儲的需求日益增長。傳統(tǒng)的計算架構逐漸顯露出局限性，這促使學術界和產業(yè)界開始探索新的計算架構和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領域的潛在應用而備受關注。泰克科技與北京大學集成電路學院聯(lián)合舉辦了一場學術交流訪談會，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領域的應用前景。在這次訪談交流中，講座主講人北京大學集成電路學院的唐克超老師分享了他們團隊在鐵電材料和器件研究方面的最新成
  • 關鍵字： 鐵電晶體管  FeRAM  

瞄準智能制造、新能源汽車等新興關鍵數(shù)據(jù)存儲需求，F(xiàn)eRAM以獨特性能發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場

  • 存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關鍵的組件之一，在當前物聯(lián)網與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計，自2019年以來，存儲器成為半導體增速最快的細分行業(yè)，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細分市場中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM（電阻式存儲）為代表的新型存儲器市場增速最快，將從5億美元增長到40億美元，年復合增長率達到42%，發(fā)展?jié)摿薮?。圖1 全球存儲器市場規(guī)模及增速（資料來源：YOLE）業(yè)界將相變存儲器、鐵電存儲器、磁
  • 關鍵字： 存儲  FeRAM  

未來新型存儲器技術將主導存儲器市場 其中FeRAM有什么競爭優(yōu)勢

  • 存儲器是半導體產業(yè)的風向標和最大細分市場，約占半導體產業(yè)的三分之一。智能時代的到來，將引起存儲行業(yè)的新一輪爆發(fā)。新的存儲器和存儲器架構已經籌劃了很長時間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內人士認為臨界點已然將近。存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關鍵的組件之一，已經形成主要由DRAM與NAND Flash構成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時代的到來，人工智能、智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局。新型存儲器是未來選擇據(jù)YOLE統(tǒng)計，2019年以來，存儲器成為
  • 關鍵字： 存儲器  FeRAM  

非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

  • 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。 當前應用于存儲
  • 關鍵字： FeRAM  MRAM  OUM  非易失性存儲器    

揚長補短發(fā)展FeRAM

  • 　　存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。 　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
  • 關鍵字： DRAM  FeRAM  RAM  SRAM  存儲器  
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feram介紹

　　FeRAM.它是利用鐵電薄膜的雙穩(wěn)態(tài)極化特性——電滯回線制備的非易失性存儲器，將鐵電薄膜技術與集成電路工藝相結合制作鐵電存儲器（FeRAM）是新興的邊緣學科-集成鐵電學中電引入矚目的研究方向?！　哪壳暗氖袌銮闆r看，不揮發(fā)存儲器的市場增長速度已高于DRAM和SRAM。應用需求主要在非接觸IC卡、智能卡、移動電話、掌上電腦、手提計算機、嵌入式微處理器等領域。不揮發(fā)存儲器最巨大的市場增長點在嵌入式 [ 查看詳細 ]

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