- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱,預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。
該報未指明消息來源稱,三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。
三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動上稱,三星預計下半年投資“略高于”上半年。
該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模,或是迄今的已投資額。
ETnews報稱,芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產技術,比如采用40納米制程生產DRAM和
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三星 DRAM 30納米 NAND
- 周一消息 研究機構iSuppli指出,NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象,大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。
iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yang表示,近期NAND閃存價格上漲,對閃存供貨商來說來說是好事,但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲,SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。
多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存,其平均價格大幅上漲12
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NAND 閃存 MLC
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況,近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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英特爾 DRAM NAND 34納米
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術的NAND閃存芯片實現(xiàn)量產。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術做準備,計劃于第四季度推出樣品。
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Micron 納米 NAND USB閃盤
- 雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內容,但是由于價格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調查報告表明,固態(tài)硬盤在標準筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應該主要指的是上網本產品.
較高的價格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據(jù)市場調研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內存芯片的價格走勢,SSD產品的市場接受度將會下降.
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固態(tài)硬盤 NAND 內存芯片
- 近來謠言越來越厲,市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存,不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久,其成本高,容量有限,有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出,固態(tài)硬盤的價格將大大降低,容量也將達到320GB左右。
固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell,多層單元)和SLC(Single Layer Cell,單層單元)兩種。MLC
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英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
- 雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經是婦孺皆知的事情,但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前,以經常拆卸廣受歡迎的消費電子產品而聞名的iSuppli,通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關鍵部件的供應商及評估產品成本。據(jù)悉,第三代蘋果手機iPhone3GS的成本為178.96美元,比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價。
通常而言,最新一代產品的成本要低于上一代,尤其對于iPh
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蘋果 NAND GPS 處理芯片
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術可滿足載有大量內容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產品的通用軟硬件兼容標準,將有效簡化設計流程并縮短產品開發(fā)時間,使制造商能在短時間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產品。
相較于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 全球NAND Flash需求仍相當疲弱,盡管東芝(Toshiba)宣布增產重創(chuàng)市場信心,然存儲器業(yè)者透露,由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈,推測其增產系為蘋果供貨做準備,近期更需關注的是,三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰(zhàn),亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片,且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠,這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力,亦將影響NAND Flash市場
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三星 NAND 30納米 43納米
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術。
三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范,該技術有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱,PCM讀寫速度非???,但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。
三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規(guī)范將于今年完成,預計明年將推出兼容設備。
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三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
- 據(jù)市調公司DRAM Exchange的調查,2009年,傳統(tǒng)筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%,而 在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現(xiàn)象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價格的上漲。今年上半年,這種規(guī)格閃存的價格不斷上揚,而由此產生的利潤空間自然就減小了。
DRAM Exchange聲稱上網本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現(xiàn)持續(xù)下降的態(tài)勢,結果導致“SSD銷量總體表現(xiàn)很糟糕”。相比傳統(tǒng)機械硬盤,SSD硬盤的每GB價格依
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SSD NAND 上網本
- 6月22日消息,據(jù)路透社報道,三星電子周一表示,已與日本東芝就半導體業(yè)務簽署交叉授權交易。
東芝是繼三星電子之后,全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
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三星 NAND 芯片制造
- 今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格(ASP)反彈,令供應商非常高興,使其在2008年經受慘重損失之后又獲得了希望。
為了盡快恢復盈利,這些供應商在2008年紛紛削減產能以應對市場需求疲弱的局面。據(jù)iSuppli公司,此后,NAND閃存價格在第一季度上漲了11%,在第二季度估計上漲了28%。
雖然這對于閃存供應商來說是好事,但卻可能對固態(tài)硬盤(SSD)在主流PC市場的普及帶來負面影響。SSD的90%由閃存部件構成。
SSD上網本失色
在全球電子市場面臨不確定性之際,PC制造
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SSD NAND 上網本
- SD(安全數(shù)碼卡)目前是我們的主要應用產品市場之一。由于有新的標準和產品出現(xiàn),MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應用。SD/MMC目前占我們營收比重仍是最大的,約在30%左右,其實這部分業(yè)務在2008年是下滑的,而新業(yè)務帶來的收入在增長,2008年慧榮的出貨量增長了35%左右。我們在全球NAND型控制芯片市場占有很大的比重,但由于價格的下降,我們的銷售額與2007年持平。
總的來說,慧榮擁有3大產品線:移動存儲、多媒體單芯片及移動通信。移動存儲產品提供管理閃存的控制芯片,應用范圍包括閃存卡、U盤、
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SD NAND 移動存儲 多媒體單芯片 移動通信
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