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中國智能手機(jī)CMOS傳感器競(jìng)爭(zhēng)硝煙彌漫

　　在中國智能手機(jī)市場(chǎng)，CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)傳感器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)正硝煙彌漫。現(xiàn)在的中國，低價(jià)手機(jī)也至少配備了800萬像素的傳感器，對(duì)CMOS的需求持續(xù)上漲。可以注意到的是，主要生產(chǎn)企業(yè)都紛紛加大當(dāng)?shù)厣a(chǎn)能力，并專門制定對(duì)中國市場(chǎng)的戰(zhàn)略。　　今年中國智能手機(jī)出貨量比去年增長了56%，預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到約3億2000萬臺(tái)，占世界總量的30%。除去中國一線城市，其他城市的主流手機(jī)仍然是從1000到2000元左右的低價(jià)手機(jī)。產(chǎn)品價(jià)格低，那么上面搭載的原件價(jià)格也低。　　據(jù)此，CMOS傳感器預(yù)計(jì)中國需
關(guān)鍵字：智能手機(jī) CMOS 傳感器

描述　　LTC?6084/LTC6085 是雙通道/四通道、低成本、低失調(diào)、軌至軌輸入/輸出、單位增益穩(wěn)定的 CMOS 運(yùn) ...
關(guān)鍵字：雙通道四通道 CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6084

MAX44265運(yùn)算放大器的特點(diǎn)是在最大增益帶寬比(物質(zhì)GBW)提供電流，如手機(jī)，筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設(shè)備的電池供 ...
關(guān)鍵字： MAX44265 低功耗關(guān)斷模式 CMOS 運(yùn)算放大器

2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?
關(guān)鍵字： Vishay CMOS 導(dǎo)通電阻

　　新計(jì)劃的第1階段將在3個(gè)相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個(gè)探索性的項(xiàng)目：第1個(gè)領(lǐng)域是細(xì)胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，將從細(xì)胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中，反之亦然;第2個(gè)領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域，專門支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個(gè)領(lǐng)域是分子級(jí)精確增材制造領(lǐng)域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級(jí)尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計(jì)劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計(jì)劃將為第1階段研究投資225萬美元。- 　　麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 CMOS

該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明：在光探測(cè)器結(jié)電容 ...
關(guān)鍵字： RGC CMOS 前置放大器

MAX2686L/MAX2693L低噪聲放大器(LNA),Maxim先進(jìn)的SiGe工藝設(shè)計(jì)，設(shè)備實(shí)現(xiàn)高增益和低噪聲系數(shù)，同時(shí)最大限度地提 ...
關(guān)鍵字： MAX2686L MAX2693L 低噪聲放大器 LDO

設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
關(guān)鍵字：增益高速 CMOS 運(yùn)算放大器

新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實(shí)用的好產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：新日本 CMOS 無線網(wǎng)絡(luò)

LDO穩(wěn)壓器的基本工作原理LDO低壓差型線性穩(wěn)壓器的獨(dú)特性在于，因?yàn)樗軕?yīng)用輸入電壓來調(diào)節(jié)輸出電壓，而這個(gè)幾 ...
關(guān)鍵字： LDO 穩(wěn)壓器

德國多特蒙德，艾爾默斯公司(Elmos)日前宣布推出集成了LIN系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片功能(LIN-SBC)的三通道半橋驅(qū)動(dòng)控制器E523.01/11，該產(chǎn)品在傳統(tǒng)的三通道半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器的基礎(chǔ)上集成了LIN收發(fā)器/雙向PWM通信接口和LDO等功能模塊。
關(guān)鍵字：艾爾默斯 LDO MCU

　　目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。　　1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
關(guān)鍵字： CMOS 電阻

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關(guān)鍵字： CMOS LCVCO 電感射頻開關(guān) PVT 鎖相環(huán)