cmos-ldo 文章進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)

淺談低電壓低靜態(tài)電流LDO的電路設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)一種低電壓低靜態(tài)電流的線性差穩(wěn)壓器。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的LDO具有獨(dú)立的帶隙基準(zhǔn)電壓源和誤差放大器，在提出 ...
關(guān)鍵字：低電壓低靜態(tài)電流 LDO

兼作電壓監(jiān)控電路的低壓降線性穩(wěn)壓器

很多低壓降穩(wěn)壓器都帶有一個(gè)使能輸入腳，它可以用作一個(gè)廉價(jià)的電壓監(jiān)控IC。雖然使能腳通常是用于切斷穩(wěn)壓...
關(guān)鍵字：低壓差線性穩(wěn)壓器監(jiān)控電路 LDO

凌力爾特推出LDO+?系列最新成員LT3090

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LDO+? 系列最新成員 LT3090，該器件是一款 600mA 低壓差負(fù)線性穩(wěn)壓器，可提供低噪聲、軌至軌電壓工作、精準(zhǔn)可編程電流限制和雙向輸出電流監(jiān)視器。該器件能補(bǔ)償電纜壓降，可非常容易地并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)更大的電流或更強(qiáng)的 PCB 散熱，也可配置為浮置三端穩(wěn)壓器。
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德州儀器推出首批針對(duì)惡劣環(huán)境的均流 LDO

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批針對(duì)惡劣環(huán)境的均流低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器。3-A TPS7H1101-SP 與 0.5-A TPS7H1201-HT 的均流特性允許設(shè)計(jì)人員并行使用兩個(gè)器件實(shí)現(xiàn)雙倍輸出電流。此外，上述器件還可提供優(yōu)異的噪聲性能，并可最大限度降低熱耗散，提高電源效率，確保理想的系統(tǒng)可靠性。
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上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機(jī)銷售禁令紅外LED廠受惠

　　隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時(shí)間的臨近，本周自貿(mào)熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個(gè)漲停板，且漲勢(shì)有向縱深方向擴(kuò)散的跡象。此前，市場(chǎng)人士就已獲悉，允許國外企業(yè)在華銷售游戲機(jī)將是上海自貿(mào)區(qū)藍(lán)圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機(jī)概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強(qiáng)勢(shì)漲停。　　分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設(shè)立合資公司的舉措表明，實(shí)行了十三年的游戲機(jī)禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下，預(yù)計(jì)與游戲機(jī)生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司，如水晶光電
關(guān)鍵字：紅外LED CMOS

基于LDO的電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為了解決電力載波通信系統(tǒng)中LDO供電模塊常用單芯片而導(dǎo)致板上成本及面積增加的問題。文中將LDO集成進(jìn)系...
關(guān)鍵字： LDO 電源管理

銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

　　銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場(chǎng)和供應(yīng)鏈。之所以這樣說，是因?yàn)槌艘苿?dòng)產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個(gè)數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。　　目前全球倒裝芯片市場(chǎng)規(guī)模為200億美元，以年增長率為9%計(jì)算，到2018年將達(dá)到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點(diǎn)式封裝的年增長率將達(dá)到19%。到2014年，已形成凸點(diǎn)的晶圓中將有50%使用銅柱凸點(diǎn)，從數(shù)量上來說，銅柱凸點(diǎn)式封裝將占到倒裝芯片封裝市場(chǎng)的2/3。　　
關(guān)鍵字： CMOS 倒裝芯片

如何正確選用低壓差線性穩(wěn)壓器

低壓差線性穩(wěn)壓器相對(duì)常用的三端穩(wěn)壓器具有更高的性能，PCB面積占用和功耗更低，在手機(jī)等便攜產(chǎn)品中得到廣...
關(guān)鍵字：低壓差線性穩(wěn)壓器 LDO

你會(huì)進(jìn)行電源設(shè)計(jì)嗎？經(jīng)驗(yàn)之人的經(jīng)驗(yàn)之談......

電源是一個(gè)系統(tǒng)的基礎(chǔ)，一個(gè)良好的電源設(shè)計(jì)是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的前提。在實(shí)際項(xiàng)目中，用到最多的電源結(jié)構(gòu)應(yīng)該就是外接適配器提供一個(gè)DC輸入，電壓可以是5V，9V，12V等等。然后在我們的PCB設(shè)計(jì)中通過各種不同的DC-DC或者LDO芯片來轉(zhuǎn)換出我們系統(tǒng)需要的各路電源。
關(guān)鍵字： DC-DC LDO 電源 PCB 電感

ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

　　高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 　　高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對(duì)NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
關(guān)鍵字： ASM CMOS

負(fù)電源軌不會(huì)消失

摘要：負(fù)電源軌與主要的IC構(gòu)件配合使用，用于給各種主要構(gòu)件 IC 供電。對(duì)稱的電源 (軌) 可處理 AC 信號(hào)，并且不會(huì)產(chǎn)生 DC 偏移。不過，相比于其同等的正 LDO，設(shè)計(jì)精良的負(fù) LDO 需要稍微多花一點(diǎn)心思。
關(guān)鍵字：凌力爾特負(fù)電源軌 LDO PSRR 低噪聲 LT3015 201309

東芝推出移動(dòng)設(shè)備用的CMOS-LDO

東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）已經(jīng)擴(kuò)充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩(wěn)壓器陣容。該系列產(chǎn)品專為移動(dòng) ...
關(guān)鍵字：移動(dòng)設(shè)備 CMOS-LDO

高電壓CMOS放大器利用單個(gè)IC實(shí)現(xiàn)高阻抗檢測(cè)

電壓的準(zhǔn)確測(cè)量需要盡量減小至被測(cè)試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網(wǎng)絡(luò)以把負(fù)載效應(yīng)保持在不顯眼的水平，即使這會(huì)引起顯著的誤差，尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
關(guān)鍵字：凌力爾特 LTC6090 CMOS 放大器電阻器

臺(tái)灣第3季IC封測(cè)產(chǎn)值季增4.5％

　　臺(tái)灣第3季IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺(tái)灣半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，IEK ITIS計(jì)劃預(yù)估，第3季臺(tái)灣封裝及測(cè)試業(yè)產(chǎn)值分別可達(dá)新臺(tái)幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。　　IEK ITIS計(jì)劃指出，展望第3季，高階智慧型手機(jī)市場(chǎng)反應(yīng)趨弱，封測(cè)廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機(jī)、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產(chǎn)品需求可能趨緩，汰舊換新動(dòng)能略有轉(zhuǎn)弱，整體電子業(yè)庫存調(diào)整時(shí)間可能拉長。　　展望今年全年IC封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，IEK ITIS計(jì)劃指出，雖然高階
關(guān)鍵字： IC封測(cè) CMOS

CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向

　　CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術(shù)的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進(jìn)入20世紀(jì)90年代，關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學(xué)和瑞典Linkoping大學(xué)的研究人員分別進(jìn)行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標(biāo)是滿足NASA對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們?cè)贑MOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果，并推動(dòng)了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。　　當(dāng)前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機(jī)構(gòu)很多，其中
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器