EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
vishay intertechnology
vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區(qū)
Vishay推出MiniLED封裝高亮度小型藍(lán)色和純綠色LED
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小型MiniLED封裝的新型藍(lán)色和純綠色表面貼裝LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸為2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm,采用先進(jìn)的超亮InGaN芯片技術(shù),典型發(fā)光強(qiáng)度分別達(dá)到440 mcd和2300 mcd,比上一代PLCC-2封裝解決方案提高四倍。
- 關(guān)鍵字: Vishay MiniLED LED
Vishay推出旋鈕電位器,簡(jiǎn)化工業(yè)和音頻應(yīng)用設(shè)計(jì)并優(yōu)化成本
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款內(nèi)置旋鈕開關(guān)---P16F和PA16F,IP67密封的新型面板電位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F電位器介電強(qiáng)度高達(dá)5000 VAC,+40 °C下額定功率為1 W,可用來(lái)簡(jiǎn)化工業(yè)和音頻應(yīng)用設(shè)計(jì)并優(yōu)化成本。日前發(fā)布的器件在一個(gè)組件中集成了旋鈕和面板電位器,無(wú)需采購(gòu)組裝單獨(dú)的旋鈕。此外,只有安裝硬件和端子位于面板背面,微型電位器面板背面所需間隙小于15 mm。PA16F采用導(dǎo)電塑料電阻芯,適用于音頻應(yīng)
- 關(guān)鍵字: Vishay 旋鈕電位器
Vishay的新款80V對(duì)稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平,可顯著提高功率密度、能效和熱性能
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型80 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高功率密度和能效的同時(shí),增強(qiáng)熱性能,減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET 對(duì)稱雙通道
Vishay推出升級(jí)版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊,延長(zhǎng)鏈路距離,提高抗ESD可靠性
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出適于IrDA?應(yīng)用的升級(jí)版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發(fā)器模塊,鏈路距離延長(zhǎng)20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數(shù)據(jù)速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動(dòng)化控制、手機(jī)和醫(yī)療設(shè)備無(wú)線通信和數(shù)據(jù)傳輸。為提高便攜式設(shè)備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流 < 70 μA,關(guān)斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
- 關(guān)鍵字: Vishay 紅外收發(fā)器模塊 抗ESD
Vishay推出的新款浪涌限流PTC熱敏電阻可提高有源充放電電路性能
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C(R25)條件下阻值范圍寬,具有高電壓處理和高能量吸收能力,可提高汽車和工業(yè)應(yīng)用有源充放電電路的性能。日前發(fā)布的器件R25阻值為60 W至1 kW,500 W 最大額定直流電壓高達(dá)1000 VDC,1 kW 達(dá)1200 VDC,最大能量吸收能力達(dá)240 J,比競(jìng)品器件高四倍。多個(gè)熱敏電阻并聯(lián),能量吸收
- 關(guān)鍵字: Vishay 浪涌限流 PTC熱敏電阻 有源充放電
Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造,為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開關(guān)損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)
- 關(guān)鍵字: Vishay INT-A-PAK IGBT功率模塊
Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
- 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2024年2月20日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度,增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝,10V柵極電壓條件下導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: Vishay 源極倒裝技術(shù) PowerPAK 功率MOSFET
Vishay推出超小型高集成度的可見光敏感度增強(qiáng)型高速PIN光電二極管
- 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2024年2月1日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出一款全新可見光敏感度增強(qiáng)型高速硅PIN光電二極管--- VEMD2704,擴(kuò)充光電二極管產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm頂視表面貼裝封裝,透明環(huán)氧樹脂感光度達(dá)業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平,快速開關(guān)時(shí)間為70 ns,容值低至17.6 pF,適于可穿戴
- 關(guān)鍵字: Vishay 可見光敏感度增強(qiáng)型 PIN光電二極管
Vishay推出新款全集成超小型接近傳感器,待機(jī)電流低至5 μA
- 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2024年1月25日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其光電子產(chǎn)品部推出全集成新型接近傳感器---VCNL36828P,提高消費(fèi)類電子應(yīng)用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL),在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面貼裝封裝中集成光電二極管、專用集成電路(ASIC)、16位 ADC和智
- 關(guān)鍵字: Vishay 接近傳感器
Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦,有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V,采用集電極開路輸出,適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統(tǒng)。日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測(cè)器邏輯門結(jié)合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
- 關(guān)鍵字: Vishay 低功耗光耦
Vishay推出的新款10MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦,有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V,采用集電極開路輸出,適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統(tǒng)。日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測(cè)器邏輯門結(jié)合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
- 關(guān)鍵字: Vishay 10MBd 低功耗光耦
Vishay IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執(zhí)行器榮獲AspenCore全球電子成就獎(jiǎng)
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其經(jīng)過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執(zhí)行器獲得2023年度AspenCore全球電子成就獎(jiǎng)(World Electronics Achievement Award)“年度高性能被動(dòng)電子/分立器件獎(jiǎng)”。該器件適用于LCD顯示屏、觸摸屏和觸摸開關(guān)面板等各種12 V車載應(yīng)用。器件采用小型兩件式結(jié)構(gòu),帶安裝孔,便于安裝和直接操作,具有高沖擊脈沖和振動(dòng)傳遞能力,可在嘈雜的環(huán)境下提供清晰的觸覺反饋。由電子技術(shù)領(lǐng)域
- 關(guān)鍵字: Vishay 觸控反饋執(zhí)行器
Vishay推出SuperTan鉭殼液鉭電容器,抗沖擊和耐振動(dòng)能力達(dá)到高可靠性應(yīng)用H級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
- Vishay推出SuperTan鉭殼液鉭電容器,抗沖擊和耐振動(dòng)能力達(dá)到高可靠性應(yīng)用H級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字: Vishay SuperTan 鉭殼液 鉭電容器 H級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
vishay intertechnology介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條vishay intertechnology!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)vishay intertechnology的理解,并與今后在此搜索vishay intertechnology的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)vishay intertechnology的理解,并與今后在此搜索vishay intertechnology的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
