11月8日，美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體（Nexperia）宣布，雙方已經達成協議，Vishay將以1.77億美元現金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關業(yè)務。紐波特晶圓廠交易需接受英國政府審查，并符合第三方購買權和慣例成交條件，預計將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠是一家200mm半導體晶圓廠，經過汽車認證，主要供應汽車市場。占地28英畝，是英國規(guī)模最大的半導體制造廠。Vishay總裁兼首席執(zhí)行官Joel Smejkal表示
關鍵字：
Vishay 安世半導體 晶圓廠
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Vishay聯手推出全新電子書《The Next Generation of Industry 4.0》（新一代工業(yè)4.0），分析了支持新一代工業(yè)4.0解決方案的技術和元件。書中，Vishay和貿澤深入探討了為全球工廠帶來變革的自動化浪潮，以及這種浪潮背后起到支持作用的關鍵解決方案。本電子書收錄了四篇詳細的專題文章，介紹了支持新一代工業(yè)應用的數字元件，此外還包含一張展望未來工業(yè)5.0的實用信息圖。
關鍵字：
貿澤 Vishay 工業(yè)4.0
與任何電子設備一樣，引爆系統需要內部電源為系統控制器 (MCU) 供電并為點火電容充電。為了確保正確定時、可靠引爆，需要使用電容器作引爆元件的儲能器件。與其他電容技術相比，模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲存電荷（低漏電流)，能量密度高，是電子引爆系統的理想選擇，可留出更多時間，釋放更大電壓確保正確起爆。對于開發(fā)和制造電子引爆系統以滿足采礦應用需求的公司，本文將為大家介紹鉭電容器技術的優(yōu)勢。對于現代引爆系統來說，模塑鉭 (MnO2) 電容器具有兩個主要優(yōu)點。首先，與鋁電解電容器不同，它們具有這些小型系統所
關鍵字：
Vishay 鉭電容器
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區(qū)時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優(yōu)缺點。寬帶隙半導體器件的優(yōu)勢設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵 (G
關鍵字：
Vishay 功率逆變器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK? 同步降壓穩(wěn)壓器---SiC967、SiC931和SiC951，用來提高負載點（POL）轉換器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封裝，占位面積和高度均小于市場上此類器件，輸入電壓范圍4.5 V至60 V。日前發(fā)布的穩(wěn)壓器模塊比其他解決方案小69%，每款模塊集成兩個高性
關鍵字：
Vishay 降壓穩(wěn)壓器 POL轉換器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
關鍵字：
Vishay 650 V 功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款適用于遙控系統的新系列微型紅外（IR）傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調制載波輸出功能，適用于代碼學習應用，供電電壓范圍2.0 V至5.5 V，3.3 V下典型功耗低至0.35 mA。日前發(fā)布的器件配置內部設計的新型IC，旨在確保長期供貨并縮短交貨期，
關鍵字：
Vishay 調制載波 紅外傳感器模塊
提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應多款Vishay針對汽車應用設計的產品。Vishay制定了自己的汽車級標準，目標是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標準納入了汽車行業(yè)的關鍵質量管理措施和健全的設計政策，在開發(fā)新品和改良現有產品時采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。Vishay汽車級標準的要求涵蓋了設計、認證和制造，同時也用于持續(xù)改善公司的產品和工藝。只有滿足這些要求的元件，才能在數據手冊中使用汽車級認證標志。
關鍵字：
貿澤 Vishay 汽車級產品
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內先進的標準整流器與瞬變電壓抑制器（TVS）二合一器件---R3T2FPHM3，為汽車應用提供新型表面貼裝解決方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片結設計和共陰極電路配置，將3 A，600 V標準整流器和200 W TRANSZORB??TVS組合在小型FlatPAK 5 x 6封裝中。日前發(fā)布的器件工作溫度?-55 °C 至?+17
關鍵字：
Vishay 標準整流器 TVS
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年8月9日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于工業(yè)、計算機、消費和移動應用領域的新型反射式光傳感器--- VCNT2030。與上一代解決方案相比，Vishay Semiconductors的VCNT2030更加節(jié)省空間，同時擁有更高的電流傳輸比（CTR）、更遠的傳感距離和更低的功耗，從而提高了性能。該產品配置了垂直腔表面發(fā)射激光器（VCSEL）和硅光電晶體管，采用1
關鍵字：
Vishay VCSEL 反射式光傳感器
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年7月6日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款新系列60 V、100 V和150 V表面貼裝溝槽式MOS勢壘肖特基（TMBS?）整流器---VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN3820A封裝。VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153額定電流7 A，達到業(yè)界先進水
關鍵字：
Vishay 整流器
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年6月21日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt? 超快恢復整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車載應用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產品都有V
關鍵字：
Vishay 整流器
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年6月7日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款業(yè)內先進的新型汽車級光伏MOSFET驅動器---VOMDA1271，該驅動器采用節(jié)省空間的SOP-4封裝，集成關斷電路。Vishay Semiconductors VOMDA1271專門用來提高汽車應用性能，同時提高設計靈活性并降低成本，開關速度和開路輸出電壓均達到業(yè)內先進水平。?日前發(fā)布的光耦集成關斷電路，典型關斷時間
關鍵字：
Vishay SOP-4 集成關斷電路 光伏MOSFET驅動器
器件通過AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上，具有高脈沖處理能力，功率耗散達120 W 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款通過AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達12
關鍵字：
Vishay 厚膜功率電阻器 NTC熱敏電阻 PC-TIM
器件采用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計
關鍵字：
Vishay SiC肖特基二極管
vishay intertechnology介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條vishay intertechnology!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對vishay intertechnology的理解，并與今后在此搜索vishay intertechnology的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
vishay intertechnology相關帖子
vishay intertechnology資料下載
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473