【熱點(diǎn)速讀】
1、美光9400系列數(shù)據(jù)中心SSD宣布量產(chǎn)：采用176層3D TLC，PCIe Gen4接口；
2、威剛：對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景不悲觀，DDR5與PCIe SSD滲透率將提升；
3、Synaptics：成熟制程產(chǎn)能未增加，或再次面臨芯片短缺困境；
4、韓媒：三星3nm制程良率“已臻完美”；
5、機(jī)構(gòu)：2027年使用eSIM的智能手機(jī)數(shù)量將達(dá)35億臺(tái)；

1、美光9400系列數(shù)據(jù)中心SSD宣布量產(chǎn)：采用176層3D TLC，PCIe Gen4接口

美光科技宣布其9400 NVMe ?固態(tài)硬盤已投入量產(chǎn)，渠道合作伙伴和全球 OEM 客戶可立即購(gòu)買用于需要最高存儲(chǔ)性能的服務(wù)器。

美光 9400 SSD 采用美光176層3D TLC，PCIe Gen4接口，符合NVMe 1.4規(guī)范，U.3 外形尺寸，向后兼容 U.2 插槽，提供6.4TB 到 30.72TB多種容量選擇。其中，9400 PRO順序讀寫速度最高均可達(dá)7000 MB/s，隨機(jī)讀寫速度最高1600K IOPS、300K IOPS；9400 MAX順序讀寫速度最高均可達(dá)7000 MB/s，隨機(jī)讀寫速度最高1600K IOPS、600K IOPS。

多種容量選擇為數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商提供了部署最節(jié)能存儲(chǔ)的靈活性，同時(shí)將工作負(fù)載與性能、容量和耐用性的正確組合相匹配。這種多功能 SSD 旨在管理本地服務(wù)器場(chǎng)或多租戶共享云基礎(chǔ)架構(gòu)中的關(guān)鍵工作負(fù)載，并且可以靈活部署在超大規(guī)模、云、數(shù)據(jù)中心、OEM 和系統(tǒng)集成商設(shè)計(jì)中。

2、威剛：對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景不悲觀，DDR5與PCIe SSD滲透率將提升

威剛2022年12月營(yíng)收23.56 億元（新臺(tái)幣下同），月減10.13%，年減27.9%，近32 個(gè)月低點(diǎn)；去年第四季營(yíng)收76.92 億元，季減13.78%，年減24.44%，近10 季低點(diǎn)；全年?duì)I收350.52 億元，年減11.42%。

威剛董事長(zhǎng)陳立白認(rèn)為，雖然全球景氣存在諸多變數(shù)，消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求受影響，但對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景并不悲觀。主因上游原廠面臨庫(kù)存與虧損雙重壓力，控制產(chǎn)能、縮減資本支出與穩(wěn)住價(jià)格成為當(dāng)務(wù)之急，預(yù)期上半年DRAM 價(jià)格將回穩(wěn)，而NAND Flash 價(jià)格上半年仍有下探空間。

同時(shí)陳立白預(yù)期，在新平臺(tái)陸續(xù)出貨與存儲(chǔ)器占整機(jī)成本比下滑推動(dòng)下，各項(xiàng)應(yīng)用產(chǎn)品存儲(chǔ)容量都將倍增，將加速推升DDR5 與PCIe接口SSD 滲透率，今年全球存儲(chǔ)器位元消耗量也將持續(xù)成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)疫情將在第二季回穩(wěn)收斂，下半年經(jīng)濟(jì)活動(dòng)將逐步回復(fù)正常，消費(fèi)性商品需求將先蹲后跳。

3、Synaptics：成熟制程產(chǎn)能未增加，或再次面臨芯片短缺困境

據(jù)外媒報(bào)道，電容式觸控面板模組、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)元器件供應(yīng)商Synaptics總裁兼CEO Michael Hurlston近日表示，市況快速惡化、遠(yuǎn)比公司預(yù)期還快，客戶庫(kù)存上升、沖擊近期需求。

Hurlston警告，至少要等到今年年中，客戶庫(kù)存才可能降到需要再次下訂單的地步。

此外，Hurlston擔(dān)憂，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈隱藏的問題并未真正解決，尤其是在用來生產(chǎn)低成本芯片的成熟制程方面。他表示，「需求終將回籠，芯片需求比起史上任何一個(gè)時(shí)期都還要多。一年過后，我們恐怕會(huì)再度面臨嚴(yán)重短缺的困境?！钩墒熘瞥坍a(chǎn)能若未增加，短缺問題恐怕會(huì)再度出現(xiàn)、且會(huì)相當(dāng)猛烈。

4、韓媒：三星3nm制程良率“已臻完美”

據(jù)韓媒引述業(yè)界消息報(bào)導(dǎo)，三星資深高層近期受訪時(shí)表示，目前三星第一代3nm制程良率「已臻完美」(a perfect level)，第二代3nm芯片的研發(fā)行動(dòng)也已展開。

三星3nm是首次采用旗下第一代「環(huán)繞式閘極」(gate-all-around；GAA)結(jié)構(gòu)晶體管的制程技術(shù)。而臺(tái)積電的3nm芯片則繼續(xù)使用現(xiàn)有的「鰭式場(chǎng)效」(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)結(jié)構(gòu)晶體管。

臺(tái)積電量產(chǎn)3nm芯片的時(shí)間點(diǎn)比三星落后約6個(gè)月。有消息稱蘋果是臺(tái)積電3nm制程技術(shù)的第一個(gè)客戶，且臺(tái)積電3nm制程良率已高達(dá)85%、高于三星。

但韓媒引述韓國(guó)業(yè)界消息指出，臺(tái)媒傳出的良率數(shù)字太夸張，考慮到臺(tái)積電的量產(chǎn)及出貨給蘋果的時(shí)程，良率最多應(yīng)該只有50%。

5、機(jī)構(gòu)：2027年使用eSIM的智能手機(jī)數(shù)量將達(dá)35億臺(tái)

據(jù)研究機(jī)構(gòu)Juniper Research預(yù)測(cè)，受消費(fèi)者終端的普及率增加所驅(qū)動(dòng)，到2027年，全球eSIM市場(chǎng)的規(guī)模將從2023年的47億美元迅速增長(zhǎng)至163億美元。

Juniper Research預(yù)測(cè)，蘋果將在2023年擴(kuò)大其僅使用eSIM的iPhone手機(jī)在歐洲的部署，這將最大限度減少在碎片化的市場(chǎng)上建立漫游協(xié)議的耗時(shí)。

到2027年，使用eSIM的智能手機(jī)總數(shù)將從今年的9.86億臺(tái)增至35億臺(tái)，三星和谷歌等制造商將開發(fā)僅使用eSIM的安卓終端，來與蘋果競(jìng)爭(zhēng)。谷歌在Pixel智能手機(jī)上提供雙SIM已有一段時(shí)間，而三星Galaxy最近的一些型號(hào)也配備了eSIM。

此外，該機(jī)構(gòu)還預(yù)測(cè)到2027年，印度和中國(guó)將占比全球eSIM智能手機(jī)的25%，但目前的監(jiān)管規(guī)定阻止中國(guó)設(shè)備制造商向本國(guó)市場(chǎng)銷售相關(guān)產(chǎn)品。