東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產線，生產小于25納米制程的NAND閃存芯片。

　　目前東芝生產的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數(shù)字相機等電子消費產品。為生產新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產。消息一經公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅。

　　而東芝與其它半導體廠商20納米制程閃存的開發(fā)，也可望于未來兩年內開始量產。