NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。

茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。

他強調，供應商根據市場狀況自然調節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。

美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。

盡管中國大陸部分存儲器業(yè)已經提前采購設備，但是參數校正、設備維護與修繕的挑戰(zhàn)，將壓抑陸廠傳統(tǒng)DRAM產品產能快速擴充。

因此，上游原廠為維持價格穩(wěn)定，積極調整產能，尤其在NAND Flash領域，減產動作更為明顯，使得價格走勢相對樂觀。

從需求端來看，茍嘉章對下半年市場持樂觀態(tài)度。 他認為，工業(yè)應用市場沉寂許久，預期需求將由工控市場規(guī)格升級帶動，消費性需求則緊隨其后。

其中，手機市場在中國大陸補貼政策與新興技術的推動下，需求優(yōu)于預期。

茍嘉章分析，AI技術快速發(fā)展為存儲器產業(yè)帶來新動能，DeepSeek等語言模型開發(fā)，使得企業(yè)發(fā)展AI不再完全依賴傳統(tǒng)英偉達的CUDA架構，將加速邊緣AI技術的落地應用。

此外，AI應用正從PC延伸到手機，例如騰訊已引入DeepSeek，加速產品創(chuàng)新并縮短開發(fā)周期。 他預期，2026年手機品牌在AI應用上將百花齊放，進一步推動內存需求增長。

慧榮正積極開發(fā)4nm的PCIe 6.0 SSD主控芯片。 該產品計劃整合先進安全功能，并支持下一代3D TLC與3D QLC NAND閃存技術。

茍嘉章透露，該項目2026年完成設計定稿（Tape out），將成為慧榮未來兩年的主力產品。