英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤(pán)的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱(chēng)，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲(chǔ)容量為每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特。這個(gè)存儲(chǔ)密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)存儲(chǔ)單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤(pán)。

　　美光NAND閃存營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Kevin Kilbuck說(shuō)，雖然在一個(gè)存儲(chǔ)單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒(méi)有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤(pán)。優(yōu)盤(pán)沒(méi)有要求固態(tài)硬盤(pán)的那種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。固態(tài)硬盤(pán)一般用于筆記本電腦和服務(wù)器的主要存儲(chǔ)設(shè)備。

　　半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司Objective Analysis的分析師Jim Handy在本周二發(fā)表的研究報(bào)告中說(shuō)，這種芯片不適合所有的市場(chǎng)。這兩家公司解釋說(shuō)，在他們有信心把這種芯片應(yīng)用于固態(tài)硬件之前，他們還需要更多的大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)。Handy說(shuō)，固態(tài)硬盤(pán)用戶(hù)記錄數(shù)據(jù)的頻繁程度要超過(guò)為數(shù)碼相機(jī)購(gòu)買(mǎi)優(yōu)盤(pán)的消費(fèi)者。

　　Handy補(bǔ)充說(shuō)，他預(yù)計(jì)英特爾-美光芯片到2010年將給三星電子和海力士/Numonyx等閃存市場(chǎng)的其它廠(chǎng)商帶來(lái)壓力，并且有可能比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手獲得更多的利潤(rùn)。

　　美光目前提供這種芯片的樣品，大批量生產(chǎn)將在今年第四季度。

　　SanDisk和東芝今年2月披露稱(chēng)他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出每個(gè)儲(chǔ)存單元4比特的技術(shù)。這兩家公司稱(chēng)這是閃存行業(yè)存儲(chǔ)容量最大的閃存技術(shù)。