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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲芯片

HBM4標準正式發(fā)布

  • 據報道，當地時間4月16日，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會宣布，正式推出HBM4內存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達 64GB。此外，HBM4將每個堆疊的獨立通道數加倍，從16個通道（
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歐洲重啟存儲芯片生產：德國鐵電FMC押注新非易失性內存技術FeRAM

  • 4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國DRAM 工廠破產關停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產?！?圖源：Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術。該技術采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-
  • 關鍵字： 歐洲  存儲芯片  生產  德國  鐵電FMC  非易失性內存  FeRAM  

存儲芯片，正式漲價

  • 今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此，存儲市場長達多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉折。存儲芯片的兩大主力產品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場表現也各不相同。NAND，開始漲價打響漲價第一槍的是 NAND 存儲大廠閃迪，其表示將于4月1日開始實施漲價，漲幅將超10%，該舉措適用于所有面向渠道和消費類產品。緊接著美光也告知將針對新訂單提高價格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，美光直接發(fā)布漲價函，預計此次漲價幅度將在10%~15%。之后，SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調NAND閃存價格。根
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總投資30.5億元！中微公司在四川成都建研發(fā)基地

  • 3月3日消息，據報道，中微公司宣布擬在成都市高新區(qū)投資設立全資子公司中微半導體設備（成都）有限公司，建設研發(fā)及生產基地暨西南總部項目。據披露，中微公司將在2025年至2030年期間投資約30.5億元，用于該公司在成都市高新區(qū)建設研發(fā)中心、生產制造基地、辦公用房及附屬配套設施，配備先進的自動化生產線和高精度檢測設備，滿足量產需求。此外，該公司將積極推動公司上下游供應鏈企業(yè)落戶成都高新區(qū)，推動形成半導體高端裝備產業(yè)鏈集群。2月21日，中微公司與成都高新區(qū)簽訂合作協(xié)議，將在成都高新區(qū)落地研發(fā)及生產基地暨西南總部
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拆解華為Mate 70 存儲芯片來自SK海力士

  • 華為Mate 70系列旗艦手機12月4日正式開賣，研究公司TechInsights拆解后發(fā)現，該款手機采用南韓SK海力士制造內存芯片，主因在于美國禁止對中國大陸出口先進芯片制造設備，而大陸制造的內存芯片選擇受限?！赌先A早報》報導，根據TechInsights的分析，華為Mate 70 Pro手機搭載SK海力士12GB低功耗行動DRAM及512GB NAND，高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東（Jeongdong
  • 關鍵字： 華為  Mate 70  存儲芯片  SK海力士  

存儲芯片市場，風口大開！

  • 當前，半導體已然成為國家科技發(fā)展的關鍵。尤其是隨著國產化浪潮進一步推進，國內A股市場半導體領域兼并重組案例時有發(fā)生，跨界并購亦是屢見不鮮。前有TCL、海爾、格力、創(chuàng)維等傳統(tǒng)家電入局造芯，后有百度、阿里、騰訊等互聯(lián)網企業(yè)跑步進場，此外百貨零售企業(yè)友阿股份、醫(yī)藥廠商雙成藥業(yè)、工業(yè)殺菌劑原藥劑企業(yè)百傲化學、房地產商皇庭國際等都也都在籌劃或正在布局半導體領域。近日，半導體領域又見跨界并購，而這次發(fā)起收購的企業(yè)是有“溫州鞋王”之稱的浙江奧康鞋業(yè)股份有限公司（以下簡稱“奧康股份”），其瞄準的是存儲芯片領域?！皽刂菪?/li>
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預計明年 1b DRAM 產能將擴大到 16~17 萬片

  • 12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
  • 關鍵字： 存儲芯片  SK海力士  HBM  

美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產芯片

  • 12 月 11 日消息，美國商務部周二表示，作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示，美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
  • 關鍵字： 美國  美光科技  生產芯片  半導體  DRAM  內存芯片  存儲芯片  

存儲芯片行業(yè)多點開花，復蘇腳步提速！

  • 近日，存儲市場多點開花，喜報頻傳。鎧俠正式開啟首次公開募股，計劃10月上市；行業(yè)消息顯示西部數據已開始剝離NAND和SSD業(yè)務；SK海力士子公司Solidigm二季度首度實現盈利，并積極推進IPO進度；此外據行業(yè)消息，繼臺積電以后，存儲大廠美光計劃買下友達兩座大廠以擴產HBM產能；另外佰維存儲、兆易創(chuàng)新等多家存儲企業(yè)紛紛披露最新財報。01鎧俠正式開啟首次公開募股，計劃10月上市據日媒報道，得益于人工智能（AI）市場對半導體需求的不斷飆升，日本存儲大廠鎧俠已于8月23日向東京證券交易所提交了上市申請，目標在
  • 關鍵字： 存儲芯片  

年中已過，存儲芯片Q3漲勢如何？

  • 在這半年的時間里，存儲芯片市場經歷了多次價格波動。從年初的平穩(wěn)開局，到隨后的快速上漲，再到近期的波動調整，每一次價格變動都牽動著業(yè)界的神經。那么，這半年來存儲芯片究竟?jié)q價幾何呢？機構預測和各原廠的漲價計劃根據集邦咨詢數據顯示，2024 年第一季度，DRAM 芯片合約價格上漲多達 20%，NAND 閃存則是上漲多達 23%—28%。近日，TrendForce 還對第二季度存儲產品價格作了最新預測，TrendForce 表示存儲芯片價格或將持續(xù)上漲，第二季度 DRAM 合約價季漲幅將上修至 13~18%；NA
  • 關鍵字： 存儲芯片  

韓國半導體出口創(chuàng)新高，存儲芯片同比大增88.7%

  • 據韓聯(lián)社報道，韓國科技信息通信部7月15日發(fā)布的數據顯示，今年上半年韓國信息通信技術（ICT）產業(yè)出口額同比增長28.2%，達1088.5億美元，創(chuàng)下歷年同期第二高紀錄。在AI人工智能、IT信息技術和通信設備市場需求支撐下，韓國主力出口產品之一的半導體出口額同比猛增49.9%，達658.3億美元。從半導體產業(yè)細分領域來看，由于高帶寬存儲器（HBM）等產品出口增加，上半年韓國存儲芯片出口增勢迅猛，同比驟增88.7%。此外，得益于服務器和數據中心投資增加以及個人電腦等設備需求增加，計算機和周邊設備出口同比增長
  • 關鍵字： 韓國半導體  存儲芯片  

華邦電子亮相慕展 以創(chuàng)新驅動存儲芯片技術

  • 在2024年慕尼黑上海電子展的璀璨舞臺上，華邦電子以其卓越的產品、領先的技術和廣泛的應用解決方案吸引了眾多業(yè)界目光。作為存儲芯片領域的佼佼者，華邦電子不僅展示了其在DRAM、閃存及安全閃存等方面的最新成果，還帶來了極具性價比和差異化價值的存儲產品CUBE，以滿足邊緣 AI不斷增長的需求。本次采訪，我們有幸邀請到了華邦電子產品總監(jiān)朱迪先生，深入探討了華邦電子的產品、技術及應用領域的最新動態(tài)?！按蠹液?，我是華邦電子產品總監(jiān)朱迪?！痹谀侥岷谏虾ｋ娮诱沟娜A邦電子展臺E4館-4110，朱迪先生以飽滿的熱情開啟了本次
  • 關鍵字： 華邦電子  上海慕尼黑電子展  存儲芯片  

半導體產業(yè)迎爆發(fā)新風口，存儲芯片廠商重金“下注”

  • 自ChatGPT發(fā)布以來，人工智能AI迅速席卷全球，引發(fā)了新一輪的科技革命。與此同時，隨著HBM市場需求持續(xù)火爆，以SK海力士、三星、美光等為代表的半導體存儲芯片廠商亦抓住機會轉變賽道，開啟了新一輪的市場爭奪戰(zhàn)。投資約748億美元存儲芯片廠商SK海力士押注AI近日，據彭博社及路透社等外媒報道，半導體存儲芯片廠商SK海力士計劃投資103萬億韓元（約748億美元）發(fā)展芯片業(yè)務，重點關注人工智能和半導體領域。報道稱，韓國SK集團上周日在一份申明中表示，旗下存儲芯片廠商SK海力士計劃在2028年前投資103萬億韓
  • 關鍵字： 半導體  存儲芯片  

我國科學家技術突破 存儲芯片無限次擦寫引圍觀：TLC、QLC買誰 恐不再糾結

  • 7月1日消息，據國內媒體報道稱，四川科學家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到，電子科技大學光電科學與工程學院劉富才教授團隊聯(lián)合復旦大學、中國科學院寧波材料技術與工程研究所在國際知名學術期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內率先攻克困擾領域內70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經歷反復極化切換后，極化只能實現部分翻轉，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現報道，
  • 關鍵字： 存儲芯片  TLC  QLC  

美光愛達荷與紐約晶圓廠預計分別于2027、2028年投產

  • 日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財報電話會議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報告中提到，其位于愛達荷州博伊西的晶圓廠預計將于2027財年投入運營，而紐約州的克萊晶圓廠則預計將在2028財年或之后開始生產。2022年，美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設大型晶圓廠項目。其中包含2座晶圓廠的首階段項目將耗資200億美元，定于2029年投運。此外，美光還計劃未來在紐約州克萊再建設兩座晶圓廠，目標2041年投運。同年，美光還宣布計劃在10年內投資150億美
  • 關鍵字： 美光  晶圓廠  存儲芯片  
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存儲芯片介紹

存儲芯片就是存儲文件的地方，由于是以芯片的形式存在，所以叫存儲芯片。 解碼芯片內裝有解碼軟件及播放軟件，存儲在MP3內的音樂要靠解碼芯片來解碼后才能播放。 音質的好壞與解碼芯片的品質和下載的音樂文件的壓縮質量有關，另外跟耳機的品質也有很大關系。 [ 查看詳細 ]

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