碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

SiC仿真攻略手冊(cè)——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能！

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個(gè)摻雜層來處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu)，如超級(jí)結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素?，F(xiàn)在，通過引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
關(guān)鍵字：功率器件 Spice模型 SiC 仿真

全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)

12月22日消息，據(jù)報(bào)道，Adroit Market Research預(yù)計(jì)，全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)，到2032年將達(dá)到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示，半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(zhǎng)到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢(shì)下，到2028年，該數(shù)字將增長(zhǎng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
關(guān)鍵字：汽車電子半導(dǎo)體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)

低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC MOSFET

意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)

2023年12月22日，中國(guó)北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動(dòng)車的中國(guó)新能源汽車龍頭廠商理想汽車（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動(dòng)車因其能效更高、續(xù)航里程更遠(yuǎn)，已成為汽車制
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體碳化硅理想汽車高壓純電動(dòng)車

NMOS和PMOS詳解

一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
關(guān)鍵字： MOSFET NMOS PMOS

通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實(shí)現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：碳化硅晶錠

8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目順利通過中期驗(yàn)收

據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)召開。會(huì)上，以黑龍江省科學(xué)院原院長(zhǎng)郭春景研究員為組長(zhǎng)的評(píng)審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書，一致同意項(xiàng)目通過階段驗(yàn)收評(píng)審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目是2021年哈爾濱市科技專項(xiàng)計(jì)劃項(xiàng)目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國(guó)
關(guān)鍵字：碳化硅科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體材料

SiC是否會(huì)成為下一代液晶

碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車使用市場(chǎng)的增長(zhǎng)比最初的預(yù)想早了一年多，功率半導(dǎo)體的投資增長(zhǎng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強(qiáng)問題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢(shì)不僅限于日本和歐洲的功率半導(dǎo)體制造商。美國(guó)和中國(guó)之間的摩擦導(dǎo)致了SiC的國(guó)產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報(bào)道，2023年9月7日，該公司表示，“中國(guó)SiC市場(chǎng)全方位戰(zhàn)略已擴(kuò)大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊?guó)Si
關(guān)鍵字： SIC，液晶，半導(dǎo)體

Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)器

美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高
關(guān)鍵字： Power Integrations 短路保護(hù) SiC IGBT模塊門極驅(qū)動(dòng)器

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
關(guān)鍵字： RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅 MOS管

ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開關(guān)和超短反向恢復(fù)時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來，隨著照明用的小型電源
關(guān)鍵字： ROHM Super Junction MOSFET

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng)，需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)和門級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
關(guān)鍵字：英飛凌溝槽功率 MOSFET

“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度，更高的擊穿
關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC

碳化硅電子熔絲演示器為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車電路保護(hù)解決方案

關(guān)鍵字：碳化硅電子熔絲電動(dòng)汽車電路保護(hù) Microchip

意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

12月1日消息，近日，據(jù)外媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長(zhǎng)潛力。報(bào)道稱，此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國(guó)東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計(jì)劃后為平衡集團(tuán)在意法兩國(guó)布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國(guó)重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 ST 格芯晶圓廠碳化硅電動(dòng)車