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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

儲能領域蘊藏節(jié)能機會 ADI積極推動節(jié)能減排

  • ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術為全球的能源基礎設施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機電流電壓監(jiān)測/ 風機振動監(jiān)測、輸電環(huán)節(jié)的導線舞動監(jiān)測/ 導線覆冰監(jiān)測/ 地質災害監(jiān)測、變電環(huán)節(jié)的變壓器振動監(jiān)測到配電環(huán)節(jié)故障指示以及用電環(huán)節(jié)的電力計量，從微電網(wǎng)和公用事業(yè)到數(shù)據(jù)中心和工廠，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動汽車充電樁的大規(guī)模部署，ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統(tǒng)。ADI中國汽車技術市場?高級經(jīng)理 王星煒1? ?儲能系統(tǒng)B
  • 關鍵字： 202107  MOSFET  儲能  

超結高壓MOSFET驅動電路及EMI設計

  • 分析了超結結構功率MOSFET在開關過程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線性產(chǎn)生更快開關速度的特性；給出了不同外部驅動參數(shù)對開關過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅動電路開關波形及開關性能的變化。最后，設計了優(yōu)化驅動電路，實現(xiàn)優(yōu)化的EMI結果，并給出了相應驅動電路的EMI測試結果。
  • 關鍵字： 202106  超結  驅動  EMI  非線性  MOSFET  

ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，
  • 關鍵字： MOSFET  

Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領先Qrr品質因數(shù)80 V/100 V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內極低的Qrr品質因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

安森美半導體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結
  • 關鍵字： MOSFET  

功率器件的演變

  • 隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調（HVAC）和工業(yè)驅動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整個電力基礎設施的負擔增加程度。在每個功率級，能效低會導致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當大的影響。在轉換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要歸咎于導通損耗和開關損耗。更高能效的半導體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
  • 關鍵字： 202105  MOSFET  

新一代AC/DC ZVS高功率密度USB PD 解決方案助力移動設備快速充電

  • 針對智能手機和平板電腦等移動設備的快速充電是消費電子行業(yè)中增長最快和規(guī)模最大的市場之一，相應電源適配器每年全球使用量達數(shù)億件以上。其中涉及一系列新興技術和挑戰(zhàn)，包括USB PowerDelivery（PD）。本文將探討一些目前與快充相關的AC/DC功率轉換關鍵技術，重點討論對USB PD的支持、技術的發(fā)展，以及Dialog在這方面提供的最新產(chǎn)品和解決方案。
  • 關鍵字： MOSFET  202105  

碳化硅基板及磊晶成長領域 環(huán)球晶布局掌握關鍵技術

  • 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
  • 關鍵字： 碳化硅  寬能隙半導體  

ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業(yè)設備，開發(fā)出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

東芝為電動助力轉向打造電機驅動系統(tǒng)核心

  • 隨著汽車電氣和電子系統(tǒng)設計日趨復雜化，汽車電子系統(tǒng)的安全性逐漸成為消費者與廠商衡量新一代汽車產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標。如何量化評估汽車功能是否安全，如何減少、規(guī)避駕駛過程中遇到的各類風險，如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統(tǒng)故障而導致的不合理風險。由于電子控制器失效的可預見性非常低，為了保證即使出現(xiàn)部分電子器件故障，汽車系統(tǒng)也能在短期（故障容錯時間內）內安全運行，需要進行功能安全防護。
  • 關鍵字： 202106  MOSFET  

碳化硅用于電機驅動

  • 0? ?引言近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動的能效和可靠性是降低
  • 關鍵字： 202106  MOSFET  WBG  202106  

在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢

  • 摘要隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來越多的應用領域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關頻率比較。前言隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

貿澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統(tǒng)晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
  • 關鍵字： MOSFET  

英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應用的快速開關

  • 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓撲結構，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)（ESS）這樣的快速開關應用，還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效，并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)（cos φ）范
  • 關鍵字： MOSFET  

Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證

  • 空間應用電源需要在抗輻射技術環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、電
  • 關鍵字： MOSFET  LET  IC  MCU  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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