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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

宜普電源轉換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產品,為業(yè)界樹立全新性能基準

  • 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
  • 關鍵字： MOSFET  QRR  QG  

應用筆記140 第2/3部分 - 開關模式電源基礎知識

  • 為何使用開關模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關模式而非線性模式下運行。這意味著，當晶體管導通并傳導電流時，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導體晶體管就像一個理想的開關。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關模式同步降壓電源通?？蓪崿F90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
  • 關鍵字： MOSFET    

TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優(yōu)值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
  • 關鍵字： MOSFET  FOM  

推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術

  • 隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
  • 關鍵字： EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

  • 領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產品主要分銷商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長應用領域的客戶提供產品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠實現新產品差異化的新技術。益登的
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  

健康催生可穿戴多功能需求

  • 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術產品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響，部
  • 關鍵字： MOSFET  VR  MR  CGM  IDC  202009  

ROHM為新基建帶來的功率器件和電源產品

  • 1 無線基站羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產品，特點是導通
  • 關鍵字： 耐高壓  MOSFET  DC/DC  202009  

有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術，該技術通過提高VCSEL的輸出功率，進一步提高了空間識別和測距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅動時間和輸出功率，這就對實現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
  • 關鍵字： MOSFET  VCSEL  TOF  AGV  

內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片

  • 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開關的原邊控制開關電源（PSR），采用PFM 調頻技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調節(jié)線性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產品應用可廣泛應用于AC
  • 關鍵字： MOSFET  PSR  IC  RFM  

“新一輪產業(yè)升級，全球進入第三代半導體時代“

  • 隨著物聯網，大數據和人工智能驅動的新計算時代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環(huán)節(jié)的產業(yè)鏈。全球新一輪的產業(yè)升級已經開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質半導體材料。已在智能電網，軌道交通，新能源，開關電源等領域得到了應用，展現出了優(yōu)良的性質和廣闊的
  • 關鍵字： 碳化硅，半導體  

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據各大咨詢機構統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
  • 關鍵字： 安森美  SiC  碳化硅  

減少開關損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

  • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
  • 關鍵字： MOSFET  碳化硅  UPS  

模塊化參考設計幫助用戶為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源

  • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應用成功產品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產品組合使用了15個瑞薩IC產品，包括三個關鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動器以及用于電機控制的RX23T 32位
  • 關鍵字： MOSFET  PWM  BLDC  MCU  

低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43
  • 關鍵字： MOSFET  

儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎設施建設

  • 電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內燃機汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內為電動汽車充滿電，他們不愿排隊等候唯一的充電樁。
  • 關鍵字： MOSFET  PWM  BMS  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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