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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
  • 關鍵字： MOSFET  N溝道  

使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200 V SiC電源模塊

  • 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。目前最先進的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅(qū)動能
  • 關鍵字： DC/DC  SiC  

意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

  • 近日， 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權(quán)，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
  • 關鍵字： 意法半導體  碳化硅  Norstel AB  

Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

科銳與ABB在汽車和工業(yè)領域展開SiC合作

  • 全球碳化硅（SiC）技術(shù)領先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。
  • 關鍵字： 科銳  ABB  碳化硅  

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
  • 關鍵字： IGBT  SiC  GaN  

北京經(jīng)開區(qū)第三代半導體現(xiàn)新突破

  • 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源，核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域，實現(xiàn)第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
  • 關鍵字： 第三代半導體  碳化硅  世紀金光  

功率MOSFET的參數(shù)那么多，實際應用中該怎么選？

  • 功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
  • 關鍵字： MOSFET  功率MOSFET  

國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

  • 近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
  • 關鍵字： MEMS  碳化硅  微推力器陣列  

第三代半導體將催生萬億元市場

  • 　　日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口。　　2018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領域研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素，國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標、器件性能等方
  • 關鍵字： 半導體  碳化硅  

SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結(jié)果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時候，收益遞減
  • 關鍵字： SiC MOSFET  意法半導體  

減慢開關轉(zhuǎn)換時要謹慎

  • 開關調(diào)節(jié)器中的快速開關瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時，可以大幅提高開關調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開關轉(zhuǎn)換也會帶來一些負面影響。開關轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開關邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開關模式電源進行開關轉(zhuǎn)換，在開關節(jié)點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
  • 關鍵字： 開關  MOSFET  

ST進軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

  • 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領域呈現(xiàn)多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應用的多樣化，即一個大應用下面通常有很多小的子應用，所以產(chǎn)品會非標準化，即一個產(chǎn)品只能針對某一類小應用/小客戶的需
  • 關鍵字： 電機  MCU  電源  SiC  

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展

  • 最近，由深圳市科學技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程，助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
  • 關鍵字： 碳化硅  二極管  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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