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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器，適用于壓接式IGBT模塊

  • 中高壓逆變器應用領(lǐng)域門極驅(qū)動器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅(qū)動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
  • 關(guān)鍵字： 門極驅(qū)動器  IGBT  

工業(yè)電機用功率半導體的動向

  • Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。 關(guān)鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
  • 關(guān)鍵字： 202003  電機  電動工具  MOSFET  工業(yè)  IGBT  IPM  

全力以赴抗疫情 開足馬力促生產(chǎn)——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

  • 基于國內(nèi)外大客戶對高端功率半導體器件的旺盛需求，特別是超級結(jié)產(chǎn)品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應用，華虹集團旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高，光刻層數(shù)達到了48萬！生產(chǎn)線在年度動力檢修后已滿負荷運行，在1月也取得了出貨6.12萬片晶圓的佳績！
  • 關(guān)鍵字： 半導體  IGBT  SJ  華虹  

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  • 　　王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054）　　摘? 要：作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性。　　關(guān)鍵詞：IGBT；
  • 關(guān)鍵字： 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  

東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設備設計

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導通損耗特性進行了改進，而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
  • 關(guān)鍵字： IGBT  分立  

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
  • 關(guān)鍵字： IGBT  SiC  GaN  

同類最佳的超級結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁

  • 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關(guān)重要。常用的半導體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
  • 關(guān)鍵字： 超級結(jié)MOSFET  IGBT  充電樁  

隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性

  • 　　Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場應用工程師）　　摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅(qū)動器　　在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。然而，快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器
  • 關(guān)鍵字： 201909  IGBT  隔離式  柵極驅(qū)動器  

向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點

  • 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵時期，對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機  PCIM亞洲展  IGBT  

IGBT場效應管的工作原理及檢測方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
  • 關(guān)鍵字： IGBT  場效應管  

更換老化的柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現(xiàn)驅(qū)動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅(qū)動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務由驅(qū)動IGBT的柵極驅(qū)動
  • 關(guān)鍵字： 電機  IGBT  

安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出

  • 2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
  • 關(guān)鍵字： 安森美半導體  IGBT  SiC肖特基二極管技術(shù)  

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

  • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器；耐受性；隔離? ? &nb
  • 關(guān)鍵字： 201905  IGBT  MOSFET   柵極驅(qū)動器  耐受性  隔離  

意法半導體的先進IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設計 可提高家電感應加熱效率

  • 　　意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實現(xiàn)最佳的導通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效?！　⌒翴H系列器件屬于意法半導體針對軟開關(guān)應用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導體的軟開關(guān)用溝柵式場截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  IGBT  

2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

  • TrendForce在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導體  IGBT  
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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