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arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 進入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術(shù)社區(qū)

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  • 　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。   　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。 　　SK海力士曾在20
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  SK海力士  

美光：3D NAND產(chǎn)能總?cè)萘恳迅哂?D　二代3D NAND將進入大批量產(chǎn)

  • 　　美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 　　科技網(wǎng)站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D，但就記憶體總?cè)萘慷裕?D NAND產(chǎn)能的總?cè)萘恳迅哂?D產(chǎn)品。 　　據(jù)悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術(shù)。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術(shù)，3D NA
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東芝副社長：“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”

  • 　　“三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關(guān)展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。 　　成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
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美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)

  • 　　今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 　　對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  

?NAND缺口達顛峰　推升SSD價漲逾10%

  • 　　DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 　　今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。 　　DRAM
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不甘心三星拿下NAND市場最大份額 Intel推出市場最低價產(chǎn)品

  • 　　三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。 　　目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術(shù)數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
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三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠遠甩開

  • 　　三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。 　　市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。(韓國經(jīng)濟日報) 　　同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。 　　剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達17.1%
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[ARM筆記]驅(qū)動對設(shè)備的識別過程及實例——NAND Flash

  • 　　驅(qū)動程序識別設(shè)備時，有以下兩種方法：　　(1)驅(qū)動程序本身帶有設(shè)備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅(qū)動程序時，就可以根據(jù)這些信息來識別設(shè)備?！　?2)驅(qū)動程序本身沒有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設(shè)備的信息;加載驅(qū)動程序時，將驅(qū)動程序與這些設(shè)備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動程序與某個設(shè)備匹配，就可以通過該驅(qū)動程序來操作這個設(shè)備了?！　?nèi)核常使用第二種方法來識別設(shè)備，這可以將各種設(shè)備集中在一個文件中管理，當開發(fā)板的配置改變時，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
  • 關(guān)鍵字： NAND  驅(qū)動  

NAND Flash供不應求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設(shè)備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  英特爾  

u-boot-在2440上的移植詳解（一）

  • 　　一、移植環(huán)境　　主 機：VMWare--Fedora 9　　開發(fā)板：Mini2440--64MB Nand,Kernel:2.6.30.4　　編譯器：arm-linux-gcc-4.3.2.tgz　　u-boot：u-boot-2009.08.tar.bz2　　二、移植步驟　　本次移植的功能特點包括：　　支持Nand Flash讀寫　　支持從Nor/Nand Flash啟動　　支持CS8900或者DM9000網(wǎng)卡　　支持Yaffs文件系統(tǒng)　　支持USB
  • 關(guān)鍵字： u-boot  2440  

SSD價格2016年來首度大漲，明年第一季價格估將持續(xù)走升

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
  • 關(guān)鍵字： SSD  NAND   

GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析

  • 在理解bootloader后,花些時間重新學習了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
  • 關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動過  

GNU ARM匯編--(十八)u-boot-采用nand_spl方式的啟動方法

  • 在《GNUARM匯編--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解讀》中分析完u-boot-201207的makefile以及mkconfig腳本后,發(fā)現(xiàn)一個現(xiàn)象:在
  • 關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot啟動方  

GNU ARM匯編--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解讀

  • 自己寫的bootloader可以引導kernel了,我以為曾經(jīng)神秘的u-boot代碼將變得毫無挑戰(zhàn),然事實表明u-boot作為優(yōu)秀的開源代碼,閱讀起來還是
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fl2440使用u-boot-1.1.6原版串口沒信息問題

  • 問題描述：硬件條件：fl2440開發(fā)板jtag下載器串口接在com11152008n1軟件條件：官方原版u-boot-116arm-linux-gcc-332make
  • 關(guān)鍵字： fl2440u-boot-1.1.6原版串口沒信息問  
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arm匯編u-boot-nand-spl啟動過介紹

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