hyper-na euv 文章進(jìn)入hyper-na euv技術(shù)社區(qū)

三星領(lǐng)先臺(tái)積電引入7納米EUV技術(shù)，今年代工市場(chǎng)欲超車聯(lián)電

　　據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，7月11日，韓國三星電子在首爾舉行的說明會(huì)上，向客戶等各方介紹了半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰(zhàn)略。新一代7納米半導(dǎo)體將采用最尖端的制造技術(shù)，從2018年開始量產(chǎn)。此次說明會(huì)上，三星展示了發(fā)展藍(lán)圖，記載了決定性能好壞的電路線寬的微細(xì)化進(jìn)程。三星表示，采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計(jì)劃從2018年開始接單，5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率，7納米以下的產(chǎn)品曾被認(rèn)為難以實(shí)現(xiàn)商用化，而EUV是
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延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵

　　臺(tái)積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對(duì)解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問題仍是相對(duì)有力的解決方案。　　每一季的臺(tái)積電法說會(huì)上，張忠謀董事長(zhǎng)或是共同執(zhí)行長(zhǎng)對(duì)于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì)對(duì)臺(tái)下觀眾做一專門的報(bào)告，法人代表對(duì)于EUV的導(dǎo)入時(shí)程亦表示高度興趣。到底EUV的發(fā)展對(duì)于臺(tái)積電未來發(fā)展甚至
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摩爾定律唯一規(guī)則：永遠(yuǎn)不要說不可能

　　摩爾定律在過去52年中一直是“更小，更快，更便宜”的代名詞，但越來越多的人認(rèn)為它只是諸多選擇之一，芯片行業(yè)開始針對(duì)特定的市場(chǎng)需求進(jìn)行調(diào)整。　　這并沒有使得摩爾定律失去意義。眾多行業(yè)人士透露，從16/14nm沖擊7nm的公司數(shù)量要多于直接沖擊16/14nm finFET的公司。但是，這種遷移也需要考慮到：　　· 當(dāng)代工廠利用16/14nm finFET進(jìn)行相同度量時(shí)，節(jié)點(diǎn)命名在20nm之后就變得無意義。因此，對(duì)于10nm或7nm并沒有一致的定義。更有價(jià)值的數(shù)
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7nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)即將打響 EUV是否夠成熟？

在先進(jìn)制程方面，玩得起的顯然只剩寥寥可數(shù)的那幾個(gè)大玩家，7nm是一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)。
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KLA-Tencor 快速有效解決客戶良率問題與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)

　　看好中國半導(dǎo)體行業(yè)未來持續(xù)的蓬勃發(fā)展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)技術(shù)，以最快的速度及最有效的方式，幫助客戶解決在生產(chǎn)時(shí)面對(duì)的良率問題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶一起提升良率，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，并與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)?！　LA-Tencor中國區(qū)總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現(xiàn)于全球17國擁有6000多位員工。2016財(cái)年，KLA-Tencor營(yíng)收表現(xiàn)來到30億美元。從硅片檢
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半導(dǎo)體押寶EUV ASML突破瓶頸預(yù)計(jì)2018年可用于量產(chǎn)

　　摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問世以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進(jìn)發(fā)展，過去數(shù)十年來包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續(xù)的突破，才得以讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn)，進(jìn)而帶動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)前進(jìn)。　　但為延續(xù)產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展，光是依賴于傳統(tǒng)微影技術(shù)仍不夠，因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革，即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù)，該技術(shù)也成為臺(tái)積電、英特爾(Intel)等
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來越大，氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?；诒Ｕ巷L(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何

　　ASML宣稱它的Q2收到4臺(tái)EUV訂單，預(yù)期明年EUV發(fā)貨達(dá)10臺(tái)以上。　　EUV光刻設(shè)備一再延遲，而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn)，而非?？赡軕?yīng)用在5nm節(jié)點(diǎn)。　　業(yè)界預(yù)測(cè)未來在1znm的存儲(chǔ)器生產(chǎn)中可能會(huì)有2層或者以上層會(huì)采用它，及在最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì)有6-9層會(huì)使用它。　　ASML計(jì)劃2018年時(shí)它的EUV設(shè)備的產(chǎn)能再擴(kuò)大一倍達(dá)到年產(chǎn)24臺(tái)，每臺(tái)售價(jià)約1億美元，目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺(tái)，正在作各種測(cè)試。　　半導(dǎo)體顧問公司的分析師Ro
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重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族成大勢(shì)所趨

　　英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時(shí)程，也讓業(yè)界及市場(chǎng)質(zhì)疑：摩爾定律是否已達(dá)極限?不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時(shí)代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV)，以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。　　摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺(tái)積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤(rùn)式微影(immersionlitho
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EUV微影技術(shù)準(zhǔn)備好了嗎？

　　又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了。縱觀整個(gè)半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對(duì)EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。　　到了下一代的10nm節(jié)點(diǎn)，降低每電晶體成本將會(huì)變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點(diǎn)時(shí)導(dǎo)入EUV微影。更進(jìn)一步來看，當(dāng)擴(kuò)展到超越5nm節(jié)點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。　　目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長(zhǎng)久以來一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會(huì)成為一個(gè)昂貴的半節(jié)點(diǎn)。　　不過，研究人
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臺(tái)積電采購EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代

按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度，幾乎可以預(yù)見的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實(shí)際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術(shù)上能實(shí)現(xiàn)，在商業(yè)上來看也不能算是理性的選擇。
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2016年EUV降臨半導(dǎo)體格局生變

　ASML公司第3代極紫外光(EUV)設(shè)備已出貨6臺(tái)。這預(yù)示著預(yù)示了全球兩家頂級(jí)大廠未來采用EUV光刻技術(shù)，在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項(xiàng)中幾乎同步，或者說臺(tái)積電在10nm時(shí)順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
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EUV將在7納米節(jié)點(diǎn)發(fā)威？

　　核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點(diǎn)因?yàn)闊o法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測(cè)系統(tǒng)

　　KLA-Tencor 公司(納斯達(dá)克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評(píng)估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測(cè)影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長(zhǎng)或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗(yàn)
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EUV遭受新挫折半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎

當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到10nm水平時(shí)，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實(shí)用的思路來進(jìn)一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
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