據中國臺灣電子時報報道稱，三星電子將下調韓國平澤三廠(P3)的 投資規(guī)模，并大砍DRAM、NAND Flash達產規(guī)模，其中NAND Flash產能增設規(guī)?；蚪抵猎ㄈ种凰疁?，加上隨著三星持續(xù)轉換先進制程，設備更換期間帶來的自然減產效果預計也將擴大。

自去年以來，受俄烏沖突、全球通貨膨脹、經濟趨勢下滑等諸多因素影響，智能手機、PC等電子產品的需求持續(xù)下滑，使得對于存儲芯片的需求也出現(xiàn)了持續(xù)下跌，存儲芯片價格持續(xù)大跌，存儲芯片廠商的業(yè)績紛紛變臉。對此，從去年下半年以來，就有存儲芯片廠商開始陸續(xù)減產，希望能夠通過減少供應來改善市場的供需結構，推動存儲芯片價格的止跌回升。

作為全球最大的存儲芯片供應商，在今年一季度慘淡的業(yè)績公布之后，三星也一改之前堅決不減產的態(tài)度，宣布對存儲芯片進行減產。三星電子在一份聲明中稱，“在評估公司已經獲得了足夠的產量以應對未來存儲芯片需求變化的情況下，公司正在調整，以確保額外供應的產品為核心，將存儲芯片產量降低到有意義的水平，并優(yōu)化已經在進行的生產線運營。但是三星并未公布具體的減產規(guī)模。

隨后在二季度的財報會議上表示，為了加速存儲芯片市場的回暖，三星宣布延長減產計劃，并調整包括NAND Flash在內的特定產品產出。

與此同時，另一家存儲芯片大廠SK海力士也在二季度財報會議上表示，在 NAND Flash 的庫存去化速度相比DRAM更慢，因此決定擴大對于NAND Flash的減產幅度。美光也在二季度財報會議上表示，美光正專注于庫存管理和控制供應，近期DRAM和NAND晶圓將進一步減少近30%，預計減產將持續(xù)到2024年。

針對存儲芯片市場目前表現(xiàn)，包括市場調查研究機構及外資的研究報告都表示，當前供應商的減產狀況將持續(xù)，使得價格有逐漸恢復的趨勢。不過，整體市場供需與價格要回復到健康的水準，預計整體還需要一段時間的努力。

另據韓國媒體BusinessKorea報道，三星電子為了提振NAND Flash芯片市場行情，打算在第四季將NAND Flash芯片價格調漲10%以上，且最快自10月開始漲價。業(yè)界人士認為，第四季DRAM及NAND合約價可望看漲10%～15%。

據市場調查及研究機構TrendForce最新的預測顯示，預計2024年存儲芯片原廠對于 DRAM 與 NAND Flash 的減產策略仍將延續(xù)。尤其，以虧損嚴重的 NAND Flash 更為明確。預估在 2024 年上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，加上通用型服務器的資本支出仍受到 AI 服務器排擠而顯得相對需求疲弱下，鑒于 2023 年基期已低，加上部分存儲產品價格已來到相對低點，預估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長率分別有 13% 及 16%。

編輯：芯智訊-浪客劍