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傳臺積電7nm以下制程明年將漲價6%!多家大客戶已同意?

發(fā)布人:芯智訊 時間:2023-10-26 來源:工程師 發(fā)布文章

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10月21日消息,據(jù)DigiTimes報導(dǎo),臺積電7nm以下先進(jìn)制程晶圓代工報價明年將將再漲3~6%,16nm以上則保持不變。

報道稱,臺積電已將漲價計劃通知客戶。有半導(dǎo)體業(yè)者透露,英偉達(dá)、聯(lián)發(fā)科、AMD等大廠已愿意接受漲價。

根據(jù)臺積電最新公布的第三季財報顯示,臺積電3nm制程的營收在總營收當(dāng)中的占比已達(dá)6%,這主要得益于搭載A17 Pro處理器的iPhone 15 Pro系列的出貨;5nm制程占比37%,相比二季度增長了7個百分點;7nm制程占比16%,相比二季度減少了7個百分點。7nm及更先進(jìn)的制程營收的占比為59%,相比二季度減少了6個百分點。

由于目前臺積電3nm制程僅蘋果一家大客戶,這也導(dǎo)致臺積電3nm營收占比增長有限。不過,隨著后續(xù)高通、聯(lián)發(fā)科旗艦芯片的相繼投片,臺積電先進(jìn)制程營收占比將有望進(jìn)一步上升。

另外,在日前的三季度法說會上,臺積電還表示,其2nm制程有望在2025年量產(chǎn),具體將會在新竹寶山與高雄2座晶圓廠同步進(jìn)行。外界預(yù)估,臺積電2nm晶圓代工的價格將進(jìn)一步上升至2.5萬美元。

據(jù)了解,臺積電的2nm制程工藝將放棄傳統(tǒng)的FinFET晶體管工藝,轉(zhuǎn)向GAA全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)(臺積電的版本命名為Nanosheet),相較于N3E工藝同功耗下性能提升10-15%,同性能下功耗下降25-30%,但晶體管密度提升僅10-20%。

另外,作為2nm制程技術(shù)平臺的一部分,臺積電也在研發(fā)背面供電(backside power rail)解決方案,該設(shè)計最適于高性能計算相關(guān)應(yīng)用。而根據(jù)臺積電的規(guī)劃,目標(biāo)是在2025年下半年推出背面供電技術(shù)供客戶采用,并于2026年量產(chǎn)。隨著臺積電持續(xù)強(qiáng)化的策略,2nm及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步擴(kuò)大臺積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

至于價格方面,2nm制程的晶圓代工報價可能將會由3nm的2萬美元/片,進(jìn)一步上漲至2.5萬美元/片。

編輯:芯智訊-林子


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