據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露，由于沉浸式光刻設(shè)備的交貨日程有所延長，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內(nèi)存芯片制造商今年轉(zhuǎn)向50nm級別制程節(jié)點的計劃有 可能會后延.而另一家臺系內(nèi)存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達的合資廠)計劃于今年二月份開始的光刻設(shè)備導入計劃也有可能會后延兩個月左右的時間。

　　而南亞和華亞則澄清稱其購買的沉浸式光刻設(shè)備將以分期到貨的形式進場，并宣稱此前進場的設(shè)備已經(jīng)按原計劃完成了進貨。

　　按南亞和華亞的計劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術(shù)的轉(zhuǎn)換工作，并將于下半年開始試產(chǎn)40nm制程級別的內(nèi)存芯片產(chǎn)品。而瑞晶公司則計劃于今年第二季度開始啟用45nm制程技術(shù)制造內(nèi)存芯片.

　　最近Gartner公司曾有一份報告指出，由于設(shè)備廠商的193沉浸式光刻機供貨數(shù)量有限，而這種設(shè)備又對芯片廠商制程技術(shù)升級起著極為關(guān)鍵的作用，因此今年芯片產(chǎn)用于采購設(shè)備的支出增長將極為有限，而據(jù)原先的預(yù)計，今年芯片廠商在設(shè)備采購方面的支出將有56.6%的增長幅度。

　　此外，據(jù)光刻機廠商ASML表示，在芯片廠商制程技術(shù)升級浪潮的驅(qū)動下，該公司接到的光刻機訂單數(shù)量出現(xiàn)了上升態(tài)勢。