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次世代微影技術(shù)主流之爭 

—— EUV可望2014年進(jìn)入量產(chǎn)
作者: 時間:2010-10-26 來源:DigiTimes 收藏

  目前次世代發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn),而身為深紫外光 ()陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出,技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn),而應(yīng)用存儲器制程又將早于邏輯制程,他也指出,無光罩多重電子束恐怕來不及進(jìn)入量產(chǎn)。

本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/113866.htm

  目前次世代主要包括深紫外光、無光罩多重電子及浸潤式微影多重曝光技術(shù),然由于各種技術(shù)成本相對上都還高,發(fā)展也尚未成熟,因此次世代尚未有明顯的主流。

  IMEC 在納米電子上向來具有先端研究技術(shù),同時也與設(shè)備大廠愛司摩爾(ASML)進(jìn)行多年的技術(shù)研發(fā),也為EUV陣營的主要代表之一。不過目前EUV技術(shù)最為人所詬病的在于EUV機(jī)臺、光罩與外圍材料設(shè)備都造價高昂,恐怕沒有幾家晶圓廠能夠負(fù)擔(dān),即便制程順利開發(fā)成功,也少有客戶有能力采用。

  因此目前臺積電也極力投入無光罩多重電子束制程開發(fā),由于該制程不需要光罩,且設(shè)備造價也不若EUV機(jī)臺來的高昂,也提供了EUV之外的另一個選擇。更重要的是,讓過去幾年聲勢浩大的EUV,能夠有抗衡的對象。

  Luc Van den hove指出,IMEC向來專注投入EUV技術(shù)研發(fā),即便EUV技術(shù)在光罩及光阻等多面向上,仍有待改進(jìn),不過成熟度高,發(fā)展時間也較久,未來幾年成本也將會下滑,適合于大量生產(chǎn)。他預(yù)估,2014年EUV技術(shù)將具有成本效益,開始進(jìn)入量產(chǎn),首先會采用EUV制程的應(yīng)是存儲器廠商,用于20納米制程,至于邏輯制程則會較晚,預(yù)計(jì)將用于16納米制程。

  Luc Van den hove也表示,半導(dǎo)體業(yè)界的確需要EUV外有別的選擇方案,不過電子束過去一段時間投入的研發(fā)資源不夠,開發(fā)尚未成熟,尤其不適合用于存儲器制程,只適合用于小量生產(chǎn),恐怕也趕不上業(yè)界量產(chǎn)的時程。

  在 EUV陣營方面,ASML日前宣布,首臺EUV機(jī)臺已于本月正式出貨,預(yù)計(jì)到2011年中為止,還有5臺將陸續(xù)出貨。同時,ASML也正在著手研發(fā)第3代 EUV機(jī)臺NEX:3300,目前已有8套訂單,將于2012年開始出貨。因此業(yè)界對于未來1年EUV機(jī)臺進(jìn)廠后的成果也十分關(guān)注,將是次世代微影技術(shù)發(fā)展的重要里程碑。



關(guān)鍵詞: 微影技術(shù) EUV

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