美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業(yè)化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。不過電子束“光刻”也有它的問題，主要是“光刻”的速度太慢，這對掩膜制作來講不是一個大問題，但如果要直接在硅片上直接刻蝕圖形，在大生產(chǎn)中就沒有經(jīng)濟效益，這使得電子束“光刻”的應用目前被局限在光刻掩膜制作等特殊的市場上。