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三星和臺(tái)積電均遭遇難題:在3nm工藝良品率上掙扎

作者: 時(shí)間:2023-10-07 來(lái)源:超能網(wǎng) 收藏

目前(TSMC)都已在制程節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn),前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個(gè),后者則在同年12月宣布啟動(dòng)的大規(guī)模生產(chǎn),蘋(píng)果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機(jī)型上搭載的A17 Pro應(yīng)用了該。

本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/202310/451149.htm

據(jù)ChosunBiz報(bào)道,雖然都已量產(chǎn)了3nm工藝,不過(guò)兩者都遇到了良品率方面的問(wèn)題,都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。在3nm工藝上采用下一代GAA(Gate-All-Around)晶體管技術(shù),而沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù),無(wú)論如何取舍和選擇,似乎都沒(méi)有逃過(guò)同一個(gè)難題,在新的制程節(jié)點(diǎn)都沒(méi)有達(dá)到預(yù)期的良品率。

按照臺(tái)積電的規(guī)劃,在3nm制程節(jié)點(diǎn)上至少有5個(gè)不同的工藝,其中2個(gè)可以投產(chǎn),接下來(lái)還會(huì)有N3P、N3X和N3AE。相比之下三星規(guī)劃的工藝數(shù)量更少一些,只有3個(gè),且僅有1個(gè)投產(chǎn),就是目前稱為3GAE的工藝,未來(lái)還會(huì)有3GAP和3GAP+。

據(jù)了解,目前三星和臺(tái)積電在3nm工藝上的良品率分別為60%和50%,距離70%的及格線顯然還差不少。從紙面數(shù)據(jù)來(lái)看,三星的良品率更高一些,但其基于的數(shù)字局限于某款加密貨幣所使用的專(zhuān)用芯片上,顯然缺乏說(shuō)服力。有業(yè)內(nèi)人士表示,三星實(shí)際的良品率可能還不到50%,想要吸引大客戶至少要達(dá)到70%以上。



關(guān)鍵詞: 三星 臺(tái)積電 工藝 3nm

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