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HBM4標(biāo)準(zhǔn),正式發(fā)布

作者: 時(shí)間:2025-04-18 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

4月16日,微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定者JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了備受業(yè)界期待的標(biāo)準(zhǔn)。

本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/202504/469536.htm

標(biāo)準(zhǔn)作為先前HBM3標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)版,將進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)處理速率,同時(shí)保持更高帶寬、更高能效及每顆芯片/堆疊的容量等基本特征。

帶來(lái)的改進(jìn)對(duì)于需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要,例如生成式人工智能(AI)、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。

據(jù)介紹,與此前的版本相比,HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方面進(jìn)行了改進(jìn)。具體來(lái)看:

●增加帶寬:通過(guò)2048位接口,傳輸速度高達(dá)8Gb/s,HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。

●通道數(shù)加倍:HBM4將每個(gè)堆疊的獨(dú)立通道數(shù)加倍,從16個(gè)通道(HBM3)增加到32個(gè)通道,每個(gè)通道包含2個(gè)偽通道。這為設(shè)計(jì)人員提供了更大的靈活性。

●能效提升:支持供應(yīng)商特定的VDDQ(0.7V、0.75V、0.8V或0.9V)和VDDC(1.0V或1.05V)電壓級(jí)別,從而降低功耗并提高能源效率。

●兼容性和靈活性:HBM4接口定義確保與現(xiàn)有HBM3控制器的向后兼容性,從而允許在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)無(wú)縫集成和靈活性,并允許單個(gè)控制器在需要時(shí)同時(shí)與HBM3和HBM4配合使用。

●定向刷新管理(DRFM:Directed Refresh Management):HBM4采用定向刷新管理(DRFM),以提高行錘緩解(row-hammer)能力和可靠性、可用性和可服務(wù)性(RAS)。

●容量:HBM4支持4高、8高、12高和16高DRAM堆棧配置,具有24Gb或32Gb芯片密度,可提供64GB(32Gb 16高)的更高立方體密度。

JEDEC HBM小組委員會(huì)主席兼NVIDIA技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān)Barry Wagner 表示,高性能計(jì)算平臺(tái)正在快速發(fā)展,需要在內(nèi)存帶寬和容量方面進(jìn)行創(chuàng)新。HBM4標(biāo)準(zhǔn)旨在推動(dòng)AI和其他加速應(yīng)用在高效、高性能計(jì)算方面的飛躍。



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