三星對(duì)此消息表示，無(wú)法確認(rèn)。 但法人認(rèn)為，HBM市場(chǎng)年復(fù)合成長(zhǎng)率超過(guò)45%，三星傳停產(chǎn)舊規(guī)格的HBM，應(yīng)有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強(qiáng)爭(zhēng)霸」地位。

與此同時(shí)，陸廠加快進(jìn)攻高階存儲(chǔ)器市場(chǎng)。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計(jì)劃2025年將產(chǎn)能擴(kuò)至每月18萬(wàn)片晶圓，目標(biāo)2026年切入LPDDR5與車(chē)用DRAM，為未來(lái)進(jìn)軍HBM鋪路。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星、美光的層數(shù)差距逐漸縮小。

其232層QLC NAND亦已打入企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存市場(chǎng)，并與中國(guó)AI芯片廠密切合作，強(qiáng)化數(shù)據(jù)中心與邊緣運(yùn)算布局。

長(zhǎng)鑫與長(zhǎng)江分屬DRAM與NAND兩大領(lǐng)域，但雙方技術(shù)協(xié)作潛力備受關(guān)注。 例如，長(zhǎng)鑫若掌握DRAM堆疊與混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)，長(zhǎng)江擁有Xtacking（透過(guò)硅通孔/TSV技術(shù)）經(jīng)驗(yàn)，雙方可望結(jié)合實(shí)現(xiàn)中國(guó)版本的HBM堆疊技術(shù)。

法人指出，三大內(nèi)存原廠掌控市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)，但陸廠急起直追，影響不可小覷。 近年陸廠以價(jià)格戰(zhàn)沖擊市占，導(dǎo)致2023~2024年存儲(chǔ)器均價(jià)下跌逾6成。

價(jià)格戰(zhàn)促使三星與SK海力士選擇減產(chǎn)，而長(zhǎng)鑫與長(zhǎng)江則逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)，以產(chǎn)能換市占策略突破封鎖。

法人預(yù)期，三星未來(lái)將擴(kuò)大HBM3E產(chǎn)能，并計(jì)劃2025年推出12層堆疊的HBM4。 同時(shí)，也將加速汰除舊世代DRAM與NAND產(chǎn)線。業(yè)界分析，地緣政治風(fēng)險(xiǎn)升高，全球記憶體供應(yīng)鏈加速區(qū)域化。 美韓陣營(yíng)強(qiáng)化與歐盟、印度合作，而中國(guó)大陸則憑借龐大內(nèi)需推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代。 未來(lái)五年，兩大陣營(yíng)在技術(shù)與市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵觀察指標(biāo)。