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ASML凈銷售額75億歐元,凈利潤為21億歐元,預(yù)計2024年全年凈銷售額約為280億歐元

  • 阿斯麥(ASML)近日發(fā)布2024年第三季度財報。2024年第三季度,ASML實現(xiàn)凈銷售額75億歐元,毛利率為50.8%,凈利潤達(dá)21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2,其中14億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預(yù)計2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間,毛利率介于49%到50%,2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預(yù)計,2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間,毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽(除非特別說明,數(shù)字均以百萬歐元
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俄羅斯計劃開發(fā)本土光刻機等芯片制造工具

  • 據(jù)外媒報道,近日,俄羅斯政府已撥款超過2400億盧布(約合人民幣175億元)支持國產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需設(shè)備、CAD工具及原材料研發(fā),目標(biāo)是到2030年實現(xiàn)對于國外約70%的半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)替代。該計劃已經(jīng)啟動了41個研發(fā)項目,并計劃在未來幾年內(nèi)再啟動43個新項目,共計110個研發(fā)項目。這些項目將覆蓋從180nm到28nm的微電子、微波電子、光子學(xué)和電力電子等多個技術(shù)領(lǐng)域,為俄羅斯微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定堅實基礎(chǔ)。據(jù)悉,該計劃由俄羅斯工業(yè)部、貿(mào)易部、俄羅斯國際科學(xué)技術(shù)中心 (ISTC)MIET 電子工程部制定
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英特爾將如何抉擇:被收購?接受投資?還是能獨自成功轉(zhuǎn)型?

  • 據(jù)外媒報道,高通近期與英特爾就整體收購事宜一事進(jìn)行了接觸,尚不清楚雙方磋商細(xì)節(jié),交易細(xì)節(jié)還遠(yuǎn)未確定,也并未提出正式報價。值得注意的是,即使英特爾接受高通的收購要約,這種規(guī)模的交易也會招致多國政府以及歐盟方面的反壟斷審查,也就是交易仍存在很大的變數(shù)。
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中國廠商貢獻(xiàn)50%銷售:光刻機廠商ASML被美國壓制 無法獨善其身

  • 9月2日消息,據(jù)國外媒體報道稱,在美國要求下,ASML明年可能無法為中國廠商維修光刻機。報道中提到,在ASML某些在中國提供服務(wù)和備件的許可證于今年年底到期后,現(xiàn)在的荷蘭首相很可能不再為其續(xù)期,而相關(guān)決定是在美國施加一定壓力后做出的。目前的情況是,ASML的銷售額中,約有一半來自中國。荷蘭新任首相也公開表示,上述規(guī)則變動會非常謹(jǐn)慎,因為這會影響光刻機巨頭阿斯麥(ASML)的經(jīng)濟利益這位新的首相直言:“我們正進(jìn)行良好的談判。我們也正特別關(guān)注阿斯麥的經(jīng)濟利益,這些利益需要與其他風(fēng)險權(quán)衡,而經(jīng)濟利益是極其重要的
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價值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

  • 8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一,其分辨率達(dá)到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預(yù)計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設(shè)備,即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

  • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀(jì)錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備,安裝時間需要數(shù)月,預(yù)計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出,第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過
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臺積電:仍在評估 High NA EUV 光刻機,采用時間未定

  • IT之家 7 月 30 日消息,《電子時報》昨日報道稱,臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此,臺積電海外營運資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強表示,仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性,目前采用時間未定?!?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機,圖源:ASML上個月,ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機,價值達(dá) 3.8
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中國大陸仍是ASML光刻機最大買家 占全球總銷售額49%

  • 全球光刻機大廠ASML近日發(fā)布2024年第2季度財報,實現(xiàn)凈銷售額62.4億歐元,同比下滑約7.6%,同比增長約18%,居于官方預(yù)測中間值。雖然半導(dǎo)體設(shè)備出口限制規(guī)定生效造成影響,但中國大陸需求持續(xù)旺盛,依然是ASML的第一大銷售市場,市占比依然高達(dá)49%,主要項目仍在未受限的DUV設(shè)備。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮(Christophe Fouquet)表示,正如此前幾個季度,半導(dǎo)體行業(yè)的整體庫存水平持續(xù)得到改善。無論是邏輯芯片還是存儲芯片客戶,對光刻設(shè)備的利用率都在進(jìn)一步提高。宏觀環(huán)境為主的不確定
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國產(chǎn)廠商引入首臺光刻機設(shè)備!

  • 據(jù)寧波前灣新區(qū)管理委員會7月15日消息,近日寧波冠石半導(dǎo)體有限公司迎來關(guān)鍵節(jié)點,引入首臺電子束掩模版光刻機。據(jù)悉,該設(shè)備是光掩模版40nm技術(shù)節(jié)點量產(chǎn)及28nm技術(shù)節(jié)點研發(fā)的重點設(shè)備。光掩模版是集成電路制造過程中光刻工藝所使用的關(guān)鍵部件,類似于相機“底片”,光線經(jīng)過掩膜版后,可在晶圓表面曝光形成電路圖形。目前,我國高精度半導(dǎo)體光掩模版產(chǎn)品主要仍依賴于進(jìn)口,國產(chǎn)化率極低。據(jù)了解,冠石半導(dǎo)體主要從事45nm~28nm半導(dǎo)體光掩模版的規(guī)?;a(chǎn)。當(dāng)前,冠石半導(dǎo)體一期潔凈車間設(shè)計產(chǎn)能為月產(chǎn)5000片180nm~2
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為什么說佳能是「明智」的光刻機出貨商?

  • 與從「器材之王」跌落的尼康有何區(qū)別?
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機定價翻倍,讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機,業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究,尋找合適的解決方案,計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道,Hyper-NA EUV光刻機的價格預(yù)計達(dá)到驚人的7.24億美元,甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元,High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元,是EUV光刻機的兩倍多
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三井化學(xué)將量產(chǎn)光刻薄膜新品,支持ASML下一代光刻機

  • 日前,日本三井化學(xué)宣布將在其巖國大竹工廠設(shè)立碳納米管 (CNT) 薄膜生產(chǎn)線,開始量產(chǎn)半導(dǎo)體最尖端光刻機的零部件產(chǎn)品(保護(hù)半導(dǎo)體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產(chǎn)品)。據(jù)悉,此種CNT薄膜可以實現(xiàn)92%以上的高EUV透射率和超過1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學(xué)預(yù)期年產(chǎn)能力為5000張,生產(chǎn)線預(yù)計于2025年12月完工,可為ASML將推出的下一代高數(shù)值孔徑、高輸出EUV光刻機提供支持。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝!ASML公布Hyper NA EUV光刻機:死胡同不遠(yuǎn)了

  • 6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機,同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機,預(yù)計可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數(shù)值只有0.33,對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計到2025年可以量產(chǎn)2nm,再往后就得加入多重曝光,預(yù)計到2027年能實現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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0.75 NA 突破芯片設(shè)計極限!Hyper-NA EUV 首現(xiàn) ASML 路線圖:2030 年推出,每小時產(chǎn) 400-500 片晶圓

  • IT之家 6 月 14 日消息,全球研發(fā)機構(gòu) imec 表示阿斯麥(ASML)計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機,目前仍處于開發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克(Martin van den Brink)于今年 5 月,在比利時安特衛(wèi)普(Antwerp)召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中,表示:“從長遠(yuǎn)來看,我們需要改進(jìn)光刻系統(tǒng),因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時,我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時 400 到 500 片晶圓”
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美國芯片管控引ASML吐槽:倒逼中國廠商造出更先進(jìn)光刻機

  • 快科技6月7日消息,近日,ASML公司CEO公開表示,美國嚴(yán)厲的芯片管控規(guī)定,只會倒逼中國廠商進(jìn)步更快。ASML CEO表示,多年來,公司都不用擔(dān)心設(shè)備的去向會受到政治限制,但突然之間,這卻變成了全世界最重要的話題之一。過去一段時間,美國一直在向荷蘭施壓,以阻止中國獲得關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)。去年,荷蘭政府宣布了新的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施,主要針對先進(jìn)制程的芯片制造技術(shù),阿斯麥?zhǔn)桩?dāng)其沖。根據(jù)ASML今年1月1日發(fā)布的聲明,荷蘭政府撤銷的是2023年頒發(fā)的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)的出口許可證
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光刻機介紹

國外半導(dǎo)體設(shè)備 我公司擁有國外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺灣3S公司生產(chǎn)的光刻機,涂膠臺, 金絲球焊機,電子束蒸發(fā)臺。 濺射臺及探針臺等各種設(shè)備,世界知名劃片機企業(yè)英國Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸 精密劃片機,300毫米清洗機,。 如您感興趣請登錄以下網(wǎng)站或Email: 網(wǎng)址:http://www.loadpoint.com.cn www.chihoc [ 查看詳細(xì) ]

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