東芝：通過中間退火工藝來確保可靠性

　　東芝發(fā)表了通過優(yōu)化中間退火工藝確保了可靠性的IGZO TFT(演講編號：AMD9-2)。TFT的構造為帶有刻蝕阻擋層的反錯列型(Inverted Staggered Type)。與形成S/D金屬后在N2氣體中進行250℃最終退火不同，此次是在形成刻蝕阻擋層后加入了320℃中間退火工序，使可靠性得到了提高。雖然個人認為通過追加中間退火來提高可靠性是較為合理的做法，但還有不同見解認為，“通過在2%的H2中進行200℃混合氣體退火，也可憑借陷阱密度的減少使可靠性得到改善”。

　　東芝利用該IGZO TFT試制了有機EL面板。面板的指標如下。3.0英寸，160×RGB×120像素，像素電路為簡單的2T 1C，底面發(fā)光型，采用“白色有機EL+彩色濾光片”方式。開口率為40%。發(fā)光范圍內(36點檢測)的發(fā)光均一度為1.1%(50cd/m2)，TFT的均一性出色，無需配備偏差補償電路。

　　工藝開發(fā)趨勢日益明顯

　　此次的IDW凸顯出了氧化物TFT在工藝開發(fā)上的大趨勢。在非結晶硅及多結晶硅TFT領域，業(yè)界正在開發(fā)通過氫化處理填充懸空鍵后盡量去除氫的工藝，而在氧化物TFT方面，由于氫會導致氧缺陷，因此還需要開發(fā)盡量減少氫影響的工藝。由不得不加入的氫所導致的缺陷必須要通過后退火進行恢復。相反，只要能夠充分控制這一氫影響，實用化就只是時間問題了。