全球存儲領軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封裝技術的64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存。該款高密度高性能的內(nèi)存模塊不僅能推動企業(yè)級服務器和云計算環(huán)境下應用程序的不斷發(fā)展，也會在數(shù)據(jù)中心解決方案的進一步多樣化上起到關鍵性作用。

　　新推出的RDIMM內(nèi)存由36個DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級制程技術和3D TSV封裝技術。

　　三星電子存儲芯片事業(yè)部內(nèi)存市場營銷負責人白智淏副總裁表示：“通過推出采用3D TSV技術的尖端解決方案，三星力求加強在DRAM市場的競爭優(yōu)勢，并進而推動全球DRAM市場的增長。預計今年下半年下一代CPU即將問世，而DDR4市場規(guī)模也有望隨之顯著擴大。此次推出的采用3D TSV封裝技術的高效節(jié)能型DDR4內(nèi)存模塊，正是三星領先主流DDR4市場的又一新作?！?/p>

　　繼去年首次量產(chǎn)3DV-NAND閃存之后，三星此次量產(chǎn)3D TSV內(nèi)存模塊標志著存儲技術史上的一個新的里程碑。如果說3DV-NAND技術實現(xiàn)了單顆裸片上各個存儲單元如高樓般的垂直堆疊結構，那么創(chuàng)新性的3D TSV封裝技術則實現(xiàn)了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。通過此次推出全新的TSV內(nèi)存模塊，三星更加穩(wěn)固了其在“3D內(nèi)存時代”的科技領先地位。

　　為了成功制造一個3D TSVDDR4 DRAM封裝，需要將DDR4裸片研磨至厚度僅為數(shù)十微米，并打出數(shù)百個通孔。有源電路直接穿過這些通孔，而裸片之間則通過有源電路實現(xiàn)垂直互連。因此，與引線鍵合封裝技術相比，采用TSV封裝技術的64GB內(nèi)存模塊速度最高提升一倍，而能耗也降低約一半。

　　今后，三星有望采用3D TSV技術將DDR4裸片堆疊4層以上，制造出密度更高的內(nèi)存模塊。鑒于服務器市場正加速從DDR3向DDR4過渡，預計此舉將加快高端內(nèi)存市場的擴大。

　　自2010年和2011年分別成功研發(fā)出基于3D TSV技術的40納米級8GB DRAM RDIMM和30納米級32GBDRAMRDIMM以來，三星一直在不斷改善3D TSV技術。今年，三星專為TSV封裝開始運行了一套新的制造系統(tǒng)，用來量產(chǎn)新型服務器用內(nèi)存模塊。

　　據(jù)Gartner的研究報告，全球DRAM市場規(guī)模預計將于年內(nèi)在金額上達到386億美元，在容量上達到298億Gb。其中服務器市場將約有67億Gb，約占今年整個DRAM生產(chǎn)規(guī)模的20%以上。