半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

?半導(dǎo)體迎資本支出下修潮，美光、臺積電后輪到誰？

受疫情、全球芯片需求放緩等因素影響，半導(dǎo)體市場遭遇“寒風(fēng)”沖擊，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入調(diào)整時期，包括美光、臺積電等在內(nèi)多家大廠紛紛下修資本支出計(jì)劃，涉及存儲器、晶圓代工兩大領(lǐng)域。01存儲芯片市場挑戰(zhàn)前所未見？美光、南亞科削減投資計(jì)劃今年9月30日美光科技表示，目前存儲芯片市場的挑戰(zhàn)是“前所未見”的，但是公司管理層相信，企業(yè)規(guī)模優(yōu)勢將幫助美光度過這一難關(guān)。展望未來，美光認(rèn)為未來的存儲芯片需求和公司經(jīng)營將面臨更嚴(yán)重的困難，美光將削減投資計(jì)劃。據(jù)悉，此前美光已經(jīng)大幅削減了資本開支，現(xiàn)在預(yù)計(jì)2023財(cái)年的資本開支規(guī)模將是80億
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“北溪”管道泄漏沖擊波：特斯拉上調(diào)充電價、有車企欲外遷生產(chǎn)線

北京工商大學(xué)商業(yè)經(jīng)濟(jì)研究所所長洪濤向貝殼財(cái)經(jīng)記者分析稱，歐洲缺乏天然氣，必然會對總部位于德國的大眾汽車、奔馳等車企產(chǎn)生負(fù)面影響。受影響的不僅是汽車制造業(yè)，發(fā)熱、發(fā)電、鋼鐵、陶瓷、玻璃等行業(yè)也受到影響。新華社10月4日消息，瑞典檢察院宣布封鎖“北溪”管道泄漏點(diǎn)附近海域，并展開刑事調(diào)查。“北溪-1”管道于2011年建成，東起俄羅斯，向德國輸氣。“北溪-2”管道去年建成，尚未投入使用。目前上述兩條管道上共發(fā)現(xiàn)4個泄漏點(diǎn)。大國博弈，企業(yè)首當(dāng)其沖。受到上述兩條天然氣管道泄漏影響，歐洲天然氣價格大幅上漲。而從9月下旬
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能源上漲需求,芯片半導(dǎo)體板塊今年還能上漲嗎？

據(jù)wind數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，6月以來半導(dǎo)體指數(shù)漲幅達(dá)到23.84%?。╳ind，20210601-20210713）作為一個匯集國家戰(zhàn)略、市場需求、資本青睞等“三千寵愛于一身”的產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體板塊最近受到不少投資者的青睞。但是隨著漲幅不斷超預(yù)期，不少“局外投資者”卻坐立難安：想加倉又恐高，不加倉又心癢癢。為何半導(dǎo)體板塊會大火呢？投資它又應(yīng)該注意什么？今天我們來聊一聊。半導(dǎo)體板塊火爆的背后原因首先，我們來看下今年半導(dǎo)體板塊大火的背后原因。四個字概括，那就是供不應(yīng)求。從供給端來看，多方面因素導(dǎo)致產(chǎn)能不足。第一，受新冠疫
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半導(dǎo)體投資放緩，今年有3400多家芯片公司消失了

　數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至8月30日前8個月內(nèi)，中國吊銷、注銷芯片相關(guān)企業(yè)達(dá)到3470家，超過往年全年企業(yè)數(shù)量。這意味著，隨著新冠疫情反復(fù)、消費(fèi)需求低迷等因素，國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)無法撐住，最終陸續(xù)退出賽道。（圖片來源：Unsplash）　　近兩年中國芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資熱潮，如今出現(xiàn)“寒冬”跡象?！　♀伱襟wApp?日前從企查查處獨(dú)家獲得的一份數(shù)據(jù)顯示：2017-2021年，中國吊銷、注銷芯片相關(guān)企業(yè)分別為461家、715家、1294家、1397家、3420家。2022年1月至8月30日前8個月內(nèi)，
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半導(dǎo)體8寸晶圓行情“急轉(zhuǎn)直下”，少數(shù)晶圓廠已同意延期拉貨

　　據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》，半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。業(yè)界人士透露，近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”，后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊，環(huán)球晶、臺勝科、合晶等臺廠警戒。其中，合晶8吋矽晶圓產(chǎn)品比重最高，恐率先感受市況波動，環(huán)球晶、臺勝科也將逐步受影響。受半導(dǎo)體市場需求轉(zhuǎn)弱沖擊，業(yè)界人士指出，有部分矽晶圓廠商已同意一些下游長約客戶的要求，可延后拉貨時程。　　業(yè)界人士透露，近期8寸晶圓市況突然急轉(zhuǎn)直下，估計(jì)后續(xù)可能蔓延到12寸記憶體用硅晶圓，再延伸到12寸邏輯IC應(yīng)用，預(yù)期客戶端于第四季度到明年第
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半導(dǎo)體人才流入低于其他行業(yè)，60%高管認(rèn)為公司品牌形象較差

　　日前，麥肯錫公司發(fā)布調(diào)查文章《半導(dǎo)體制造商如何將人才挑戰(zhàn)轉(zhuǎn)化為競爭優(yōu)勢》，解讀行業(yè)內(nèi)人才困境。研究顯示，目前存在于半導(dǎo)體行業(yè)的三大關(guān)鍵挑戰(zhàn)在于人才獲取、留住人才和組織健康?！　∵^去一年的芯片短缺，讓世界上一些最重要的行業(yè)放緩了前進(jìn)步伐。汽車制造、電力和醫(yī)療保健等行業(yè)，都因?yàn)榘雽?dǎo)體資源匱乏而導(dǎo)致生產(chǎn)和創(chuàng)新受阻。作為響應(yīng)，幾家大型芯片制造商已承諾在美國和歐洲建立新工廠，旨在減輕亞洲生產(chǎn)商的壓力。然而，有一個因素可能會破壞他們的計(jì)劃：在激烈的競爭中，半導(dǎo)體公司發(fā)現(xiàn)吸引和留住人才比以往任何時候都更加困難?！　?/li>
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印度出臺半導(dǎo)體激勵計(jì)劃預(yù)計(jì)至少投資250億美元

　　9月22日消息，印度信息技術(shù)部副部長拉杰夫·錢德拉塞卡(Rajeev Chandrasekhar)周三宣布，印度政府計(jì)劃增加對新半導(dǎo)體和顯示設(shè)備制造行業(yè)的支持力度，預(yù)計(jì)將爭取至少250億美元的總投資?！　≡谒忌鲜鱿⒌膸讉€小時前，印度政府將對新半導(dǎo)體設(shè)施的財(cái)政支持提高到項(xiàng)目成本的50%，并表示將取消允許投資的最高上限，以激勵顯示器本地制造。　　根據(jù)總規(guī)模達(dá)100億美元的芯片和顯示器生產(chǎn)激勵計(jì)劃，印度總理納倫德拉·莫迪(Narendra Modi)領(lǐng)導(dǎo)的政府正在尋求吸引更多大額投資，旨在使印度成為全
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鴻海印度半導(dǎo)體合資廠有譜傳落腳地已拍板

鴻海集團(tuán)（2317）和印度大型跨國集團(tuán)Vedanta在半導(dǎo)體的合作布局有譜，傳已完成選址作業(yè)，相中的廠地落腳在印度總理莫迪（Narendra Modi）家鄉(xiāng)古吉拉特邦（Gujarat），且最快在本周就將簽訂MOU（合作備忘錄），算是為「兩年內(nèi)啟動首批生產(chǎn)」的內(nèi)部規(guī)畫，跨出了成功的第一步。據(jù)悉為了促成此投資計(jì)劃，Vedanta曾派員造訪印度西部馬哈拉什特拉?。∕aharashtra）普那市（Pune），勘查了一塊占地達(dá)160公頃的土地，并將該處設(shè)定為設(shè)廠首選。除此之外，Vedanta也將鄰近的古吉拉特邦（G
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KLA談5G對半導(dǎo)體及制造工藝的挑戰(zhàn)

1. 5G發(fā)展會帶來的影響和好處有哪些？ 5G 的發(fā)展會為半導(dǎo)體行業(yè)帶來哪些挑戰(zhàn)？5G，即第五代無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，為移動電話帶來超高速率（數(shù)據(jù)傳輸比 4G LTE 快 100-200 倍），在流媒體應(yīng)用上響應(yīng)更快、延遲更少，并為人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí) (VR)、混合現(xiàn)實(shí)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、自動駕駛、精密的云應(yīng)用程序服務(wù)、機(jī)器間連接、醫(yī)療保健服務(wù)等領(lǐng)域的發(fā)展鋪平了道路。然而，為了充分實(shí)現(xiàn) 5G 的潛在應(yīng)用場景，我們需要許多其他的組件來支持該全新的基礎(chǔ)設(shè)施，其中半導(dǎo)體設(shè)備的比重也不斷增加。其包括高容量
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瞄準(zhǔn) 3D 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體制造封裝需求，尼康力圖實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)出貨量倍增

集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，尼康公司日前提出半導(dǎo)體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)，即到 2026 年 3 月為止的財(cái)年，將光刻機(jī)年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報(bào)道稱，尼康將積極開拓除英特爾以外的其他客戶，特別是日本本土和中國地區(qū)客戶，計(jì)劃將英特爾在光刻機(jī)設(shè)備營收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲半導(dǎo)體、圖像傳感器制造需求的光刻機(jī)新產(chǎn)品，已提高其在成熟制程設(shè)備市場的競爭力，目前，該公司平均每年售出 16 臺 ArF 光刻機(jī)（含二手翻新）。
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電子產(chǎn)業(yè)未來的材料——氧化鎵（Ga2O3）

可以說，人類在20世界下半葉開始，絕大部分的科技成果都建立在電子計(jì)算機(jī)之上，而半導(dǎo)體材料，就是各類現(xiàn)代信息技術(shù)的基石。自上世紀(jì)50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料為人類信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步；時間來到20世紀(jì)90年代，第二代半導(dǎo)體橫空出世，以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無線電通訊、微波雷達(dá)及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用；而近十年來，也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體，直接推動了功率器件、短波長光電器件、光顯示、光存儲、光探測、透明導(dǎo)電等領(lǐng)域的高速發(fā)
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俄公民被禁止考托福？美宣布新一輪對俄制裁，針對俄羅斯“硅谷”和半導(dǎo)體行業(yè)

當(dāng)?shù)貢r間周二（8月2日），美國宣布了新一輪對俄羅斯的制裁，主要針對俄羅斯的金融和技術(shù)領(lǐng)域，尤其是俄羅斯的高科技和半導(dǎo)體行業(yè)。據(jù)悉，此次被制裁的對象包括被稱作“俄羅斯硅谷”的斯科爾科沃科技園（Skolkovo）、莫斯科物理技術(shù)學(xué)院（MIPT）、世界最大鋼鐵生產(chǎn)商之一馬格尼托哥爾斯克鋼鐵集團(tuán)公司（MMK）及其董事會主席等。此外，俄知名化工企業(yè)佛薩卡集團(tuán)的創(chuàng)始人安德烈·古里耶夫（Andrey Guryev）也在制裁名單內(nèi)。不過報(bào)道指出，該集團(tuán)本身暫未在制裁名單上。根據(jù)美國國務(wù)院發(fā)布的官方文件，被制裁的對象在美國
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東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，將在 8 月下旬量產(chǎn)

據(jù)東芝近日官網(wǎng)宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)管）計(jì)劃在今年 8 月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻，且開關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項(xiàng)新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結(jié)構(gòu)，將其與 PN 二極管并聯(lián)放置，能將可靠性提升 10 倍。雖然上述器件結(jié)構(gòu)可以顯著提升可靠性，可它卻有著無法規(guī)避的缺點(diǎn) —— 特定導(dǎo)通電阻和性能
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美日連手將成立新的聯(lián)合國際半導(dǎo)體研究中心

日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一（Koichi Hagiuda）今天在華盛頓的記者會指出，美日已決定成立一個新的聯(lián)合國際半導(dǎo)體研究中心。路透社報(bào)導(dǎo)，美日在經(jīng)濟(jì)會談中同意，將共同研發(fā)次世代半導(dǎo)體，以建立這種重要組件一個安全的來源。美國商務(wù)部長雷蒙多（Gina Raimondo）表示，雙方今天深入討論「有關(guān)日本和美國如何進(jìn)行合作，尤其是在先進(jìn)半導(dǎo)體方面」?！溉战?jīng)亞洲」（Nikkei Asia）稍早報(bào)導(dǎo)，日本將于今年底之前與美國合作開設(shè)一個次世代2奈米芯片研發(fā)中心，這是兩國致力建構(gòu)安全芯片供應(yīng)鏈行動的一環(huán)。美日計(jì)劃研
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顯卡、內(nèi)存全在跌 ASML的EUV光刻機(jī)賣不動：一下少了15臺

全球半導(dǎo)體市場從產(chǎn)能緊張已經(jīng)轉(zhuǎn)向過剩，部分領(lǐng)域跌價跌得厲害，比如顯卡、內(nèi)存及SSD等，這一波芯片價格下滑也會影響廠商的生產(chǎn)計(jì)劃，結(jié)果就是ASML一度供不應(yīng)求的EUV光刻機(jī)賣不動了，今年出貨量減少15臺。ASML昨天發(fā)布了2022年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季凈銷售額為54.31億歐元，好于市場預(yù)期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長36%。雖然業(yè)績大漲，但是ASML對全年的預(yù)期更加悲觀，從之前預(yù)期增長20%下調(diào)到了增長10%，其
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]