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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

臺(tái)積電2nm需求超所有其它制程！蘋(píng)果、NVIDIA、AMD都想要

  • 5月6日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求，有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)需求遠(yuǎn)超以往任何制程，甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當(dāng)，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構(gòu)。此外，與3nm增強(qiáng)版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場(chǎng)需求方面，蘋(píng)果被認(rèn)為是2nm制程的最大客戶(hù)，可
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臺(tái)積電在美建第三座晶圓廠，擴(kuò)大本地制造布局

  • 據(jù)彭博報(bào)道，臺(tái)積電已開(kāi)始在亞利桑那州建造第三座晶圓廠，標(biāo)志著其在美國(guó)擴(kuò)張的第三階段。這一進(jìn)展正值美國(guó)前總統(tǒng)特朗普政府威脅進(jìn)一步加征關(guān)稅以推動(dòng)本土制造業(yè)之際。4月29日，特朗普在美國(guó)密歇根州慶祝總統(tǒng)就職100天時(shí)，臺(tái)積電的擴(kuò)張計(jì)劃備受關(guān)注。同日，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)Howard Lutnick訪問(wèn)了臺(tái)積電的工廠。彭博指出，臺(tái)積電已成為美國(guó)政府吸引制造業(yè)回流的關(guān)鍵角色。Lutnick此前曾暗示，可能會(huì)暫緩發(fā)放《芯片與科學(xué)法案》承諾的補(bǔ)貼，并敦促可能獲得聯(lián)邦半導(dǎo)體補(bǔ)貼的公司擴(kuò)大在美投資計(jì)劃。今年3月初，特朗普與臺(tái)積電C
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臺(tái)積電擬限制出口最先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 新的法律措施將強(qiáng)制執(zhí)行「N - 1」技術(shù)限制，實(shí)質(zhì)上禁止臺(tái)積電出口其最新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，并對(duì)違規(guī)行為處以罰款。
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西門(mén)子與臺(tái)積電合作推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與集成創(chuàng)新

  • 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件日前再次深化與臺(tái)積電的長(zhǎng)期合作，共同推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與集成領(lǐng)域創(chuàng)新，幫助客戶(hù)應(yīng)對(duì)未來(lái)技術(shù)挑戰(zhàn)。西門(mén)子包括 nmDRC、nmLVS、YieldEnhancer? 和 PERC?在內(nèi)的Calibre??nmPlatform 軟件，以及 Analog FastSPICE (AFS) 和 Solido? 解決方案，已獲得臺(tái)積電先進(jìn) N2P 和 A16 工藝認(rèn)證。此外，Calibre??3DSTACK?解決方案已通過(guò)臺(tái)積電?3DFabric?技術(shù)和?
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臺(tái)積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)

  • 根據(jù)臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)的報(bào)告，代工臺(tái)積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會(huì)上介紹了 A14 工藝，稱(chēng)預(yù)計(jì)將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說(shuō)過(guò)，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具?！皬?2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類(lèi)似的復(fù)雜性，”據(jù)報(bào)道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會(huì)上說(shuō)。這與英特爾形成鮮明對(duì)比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實(shí)施一項(xiàng)計(jì)
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臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

  • 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒(méi)有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。臺(tái)積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái)，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開(kāi)始就低得多了，
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臺(tái)積電高歌猛進(jìn)，二線廠商業(yè)績(jī)承壓

  • 作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭，2024年臺(tái)積電全年合并營(yíng)收達(dá)900億美元，同比增長(zhǎng)30%；稅后凈利達(dá)365億美元，同比大幅增長(zhǎng)35.9%。毛利率達(dá)到56.1%，營(yíng)業(yè)利益率達(dá)45.7%，皆創(chuàng)歷史新高。2025年首季，臺(tái)積電的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。據(jù)晶圓代工業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電首季毛利率達(dá)58.8%，且預(yù)計(jì)第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區(qū)間；美元營(yíng)收有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)13%、同比增長(zhǎng)近40%。與之形成鮮明對(duì)比的是，二線代工廠首季營(yíng)運(yùn)并未出現(xiàn)明顯回暖跡象。具體來(lái)看，聯(lián)電2025年首季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣578
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臺(tái)積電2nm N2工藝節(jié)點(diǎn)今年投產(chǎn) A16和N2P明年上市

  • 臺(tái)積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上透露，該公司有望在今年下半年開(kāi)始大批量生產(chǎn) N2（2nm 級(jí)）芯片，這是其首個(gè)依賴(lài)于全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。這個(gè)新節(jié)點(diǎn)將支持明年推出的眾多產(chǎn)品，包括 AMD 用于數(shù)據(jù)中心的下一代 EPYC“Venice”CPU，以及各種面向客戶(hù)端的處理器，例如用于智能手機(jī)、平板電腦和個(gè)人電腦的 Apple 2025 芯片。得益于 GAAFET 和增強(qiáng)的功率傳輸，新的 2nm 節(jié)點(diǎn)將在更高的性能和晶體管密度中實(shí)現(xiàn)切實(shí)的節(jié)能。此外，后續(xù)工藝技術(shù) A16
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臺(tái)積電考慮推出大規(guī)模 1000W 級(jí)多芯片處理器，其性能是標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)的 40 倍

  • 您可能經(jīng)常認(rèn)為處理器相對(duì)較小，但 TSMC 正在開(kāi)發(fā)其 CoWoS 技術(shù)的一個(gè)版本，使其合作伙伴能夠構(gòu)建 9.5 個(gè)標(biāo)線大小 （7,885 mm^2） 的多小芯片組件，并將依賴(lài)于 120×150 mm 的基板 （18,000 mm^2），這比 CD 盒的尺寸略大。臺(tái)積電聲稱(chēng)這些龐然大物可以提供高達(dá)標(biāo)準(zhǔn)處理器 40 倍的性能。幾乎所有現(xiàn)代高性能數(shù)據(jù)中心級(jí)處理器都使用多芯片設(shè)計(jì)，隨著性能需求的提高，開(kāi)發(fā)人員希望將更多的芯片集成到他們的產(chǎn)品中。為了滿足需求，臺(tái)積電正在增強(qiáng)其封裝能力，以支持用于高性能計(jì)算和 AI
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臺(tái)積電24座新廠痛點(diǎn)在人力 英特爾重整后人才流向受關(guān)注

  • 臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家日前于法說(shuō)會(huì)上進(jìn)一步說(shuō)明擴(kuò)產(chǎn)藍(lán)圖，目前在美國(guó)共計(jì)投資1,650億美元，建置6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠，及1座千人研發(fā)中心，而臺(tái)灣正在興建與計(jì)劃中的產(chǎn)線，則有11座晶圓廠與4座先進(jìn)封裝廠。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈表示，臺(tái)積電的臺(tái)美據(jù)點(diǎn)共有22座廠在興建中或計(jì)劃建置，還有2024年8月動(dòng)土的德國(guó)廠與日本熊本二廠，盡管臺(tái)積電能以獨(dú)家先進(jìn)制程技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)勢(shì)調(diào)漲海外廠區(qū)代工報(bào)價(jià)以轉(zhuǎn)嫁成本、維持毛利率，但「人力缺口」相當(dāng)棘手，臺(tái)灣能調(diào)動(dòng)的團(tuán)隊(duì)幾乎已全員出動(dòng)。甚至連大學(xué)應(yīng)屆或?qū)嵙?xí)生也已高薪招聘赴海外工作，在
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臺(tái)積電3nm更新：N3P量產(chǎn)，N3X步入正軌

  • 臺(tái)積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上透露，該公司按計(jì)劃于 2024 年第四季度開(kāi)始采用其性能增強(qiáng)型 N3P（第 3 代 3nm 級(jí)）工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片。N3P 是 N3E 的后續(xù)產(chǎn)品，面向需要增強(qiáng)性能同時(shí)保留 3nm 級(jí) IP 的客戶(hù)端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序。該技術(shù)將在今年下半年由 N3X 接替。TSMC 的 N3P 是 N3E 的光學(xué)縮小版，它保留了設(shè)計(jì)規(guī)則和 IP 兼容性，同時(shí)在相同漏電流下提供 5% 的性能提升，或在相同頻率下提供 5% –
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臺(tái)積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)2028年推出

  • 臺(tái)積電公布了其 A14（1.4 納米級(jí)）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢(shì)。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴(lài)其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過(guò) NanoFlex Pro 技術(shù)提供進(jìn)一步的靈活性。臺(tái)積電預(yù)計(jì) A14 將于 2028 年進(jìn)入量產(chǎn)，但沒(méi)有背面供電。計(jì)劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節(jié)點(diǎn)下一代先進(jìn)芯片技術(shù)，”臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷(xiāo)售高級(jí)副總
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英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱(chēng)將外包給臺(tái)積電生產(chǎn)

  • 財(cái)聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據(jù)媒體報(bào)道，英特爾正委托臺(tái)積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU?？紤]到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過(guò)臺(tái)積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號(hào)。英特爾聲稱(chēng)將為客戶(hù)提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺(tái)積電的一個(gè)原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動(dòng)，而不是性能或回報(bào)等方面的問(wèn)題。還有傳言稱(chēng)，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺(tái)積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
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臺(tái)積電計(jì)劃于2028年投產(chǎn)下一代A14制程技術(shù)

  • 4月24日電，臺(tái)積電計(jì)劃在2028年開(kāi)始生產(chǎn)A14芯片技術(shù)，旨在保持芯片行業(yè)的領(lǐng)先地位。該技術(shù)將推動(dòng)這家全球最大芯片制造商超越其當(dāng)前最先進(jìn)的3納米制程，以及今年晚些時(shí)候?qū)⑼瞥龅?納米制程。臺(tái)積電還計(jì)劃在2026年末推出中間的A16制程。
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Intel下單臺(tái)積電2nm！用于下代PC處理器

  • 4月22日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Intel已加入臺(tái)積電2nm制程的首批客戶(hù)行列，計(jì)劃用于生產(chǎn)下一代PC處理器，目前相關(guān)準(zhǔn)備工作正在臺(tái)積電新竹廠區(qū)緊鑼密鼓地進(jìn)行，以確保后續(xù)良率的調(diào)整。臺(tái)積電計(jì)劃在下半年量產(chǎn)2nm制程，近期相關(guān)客戶(hù)陸續(xù)浮出水面，此前，AMD已宣布下單臺(tái)積電2nm制程。報(bào)道稱(chēng)，Intel和臺(tái)積電目前在2nm制程上僅合作一款產(chǎn)品，可能是Intel明年要推出的PC處理器Nova Lake中的運(yùn)算芯片。對(duì)于Intel加入的消息，臺(tái)積電表示不評(píng)論市場(chǎng)傳聞，也不評(píng)論特定客戶(hù)業(yè)務(wù)，Intel方面也未對(duì)相關(guān)消息
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臺(tái)積電介紹

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor) 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介 　　臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專(zhuān)業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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