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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

西門子擴(kuò)展多款 IC 設(shè)計(jì)解決方案對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)工藝的支持

  • 獲得臺(tái)積電技術(shù)認(rèn)證的西門子EDA 產(chǎn)品包括 Calibre?nmPlatform——用于 IC 簽核的領(lǐng)先物理驗(yàn)證解決方案;以及 Analog FastSPICE? 平臺(tái)——專為納米級(jí)模擬、射頻(RF)、混合信號(hào)、存儲(chǔ)器和定制數(shù)字電路提供快速電路驗(yàn)證。這兩個(gè)產(chǎn)品系列目前均已獲得臺(tái)積電 N4P 和 N3E 工藝認(rèn)證。作為臺(tái)積電 N3E 工藝的定制設(shè)計(jì)參考流程 (CDRF) 的一部分,Analog FastSPICE 平臺(tái)還可支持可靠性感知仿真,包括老化、實(shí)時(shí)自熱效應(yīng)和高級(jí)可靠性功能。 Calibr
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臺(tái)積電魏哲家出席日本3DIC材料研發(fā)中心開(kāi)幕

  • 晶圓代工龍頭臺(tái)積電總裁魏哲家24日出席「臺(tái)積電日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心」開(kāi)幕啟用典禮,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺(tái)積電設(shè)立,并與揖斐電(Ibiden)、新光電氣、信越化學(xué)等日本逾20家廠商合作,總投資金額達(dá)370億日?qǐng)A,日本政府透過(guò)新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)統(tǒng)合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)出資190億日?qǐng)A。臺(tái)積電在日本茨城縣筑波市產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所設(shè)立的臺(tái)積電日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心24日開(kāi)幕啟用,由于日本已開(kāi)放臺(tái)灣人士以商務(wù)簽證入境且免隔離,魏哲家與臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)暨服務(wù)副總經(jīng)理廖德堆一同出席,說(shuō)明臺(tái)
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是德科技與新思科技共同合作,支持臺(tái)積電 N6RF 設(shè)計(jì)參考流程

  • 是德科技(Keysight Technologies Inc.) 是推動(dòng)全球企業(yè)、服務(wù)供應(yīng)商和政府機(jī)構(gòu)網(wǎng)路連接與安全創(chuàng)新的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商,該公司日前宣布其 Keysight PathWave RFPro 與新思科技(Synopsys)定制化編譯器設(shè)計(jì)環(huán)境已完成整合,以便支持臺(tái)積電(TSMC)最新的 6 納米 RF(N6RF)設(shè)計(jì)參考流程。對(duì)于集成電路(IC)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),EDA 工具和設(shè)計(jì)方法至關(guān)重要。最新的 TSMC N6RF 設(shè)計(jì)參考流程,為設(shè)計(jì)人員提供重要指引,使其能夠利用臺(tái)積電先進(jìn)的 N6RF 互補(bǔ)
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先跑并不意味著先贏 良品率才是贏得3nm之爭(zhēng)的關(guān)鍵

  • 隨著雙寡頭拉起的3nm制程競(jìng)賽,未來(lái)行業(yè)內(nèi)的晶圓代工訂單勢(shì)必將向這兩家公司進(jìn)一步集中,由于半導(dǎo)體行業(yè)極度依賴規(guī)模效應(yīng),未來(lái)晶圓代工這個(gè)行業(yè)也很難再有新的挑戰(zhàn)者出現(xiàn)。
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日本為中國(guó)芯片企業(yè)補(bǔ)貼4760億

  • 近日,由臺(tái)積電在日本九州熊本縣的晶圓廠獲得了日本官方給予的4760億日元(折合人民幣約237億元)的補(bǔ)助。而這座工廠的計(jì)劃成本為1.1萬(wàn)億日元,所以此次的補(bǔ)貼占據(jù)了投資計(jì)劃的43%。根據(jù)此前消息,臺(tái)積電計(jì)劃該工廠與2024年12月開(kāi)始投產(chǎn),預(yù)計(jì)生產(chǎn)28nm~22nm制程工藝,未來(lái)可能會(huì)升級(jí)到12nm~16nm制程工藝。值得一提的是,雖然此次日本官方的補(bǔ)貼占據(jù)了投資計(jì)劃的43%,但臺(tái)積電依舊全資持有該工廠。
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密度僅提升10% 臺(tái)積電2nm工藝擠牙膏:Intel要贏回來(lái)了

  •   在技術(shù)論壇上,臺(tái)積電首次全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo),相比3nm工藝,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%?! ∪欢阅芗肮目粗€不錯(cuò),但臺(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏,只提升了10%,按照摩爾定律來(lái)看的話,新一代工藝的密度提升是100%才行,實(shí)際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。  臺(tái)積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低,很有可能跟使用的納米片電晶體管(Nanosheet)技術(shù)有關(guān),畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu),考驗(yàn)很多?! ∶芏忍?/li>
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臺(tái)積電2nm工藝提升不大:密度僅提升10%

  • 日前,臺(tái)積電全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo),相比3nm工藝,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯(cuò),但臺(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏,只提升了10%,按照摩爾定律來(lái)看的話,新一代工藝的密度提升是100%才行,實(shí)際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。臺(tái)積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低,很有可能跟使用的納米片電晶體管(Nanosheet)技術(shù)有關(guān),畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu),考驗(yàn)很多。     
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臺(tái)積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機(jī)

  • 臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線圖,定于2025年量產(chǎn)2nm工藝,其采用Nanosheet(納米片電晶體)的微觀結(jié)構(gòu),取代FinFET。期間,臺(tái)積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程,包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X,要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%,包括興建更多的晶圓廠。顯然,作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠的關(guān)鍵核心設(shè)備,EUV光刻機(jī)少不了要采購(gòu)一大批。臺(tái)積電表示,計(jì)劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機(jī)。此前,Intel曾說(shuō)自己是第一個(gè)訂購(gòu)ASML下一代EUV光刻機(jī)的
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臺(tái)積電高管:將在2024年引入阿斯麥最新極紫外光刻機(jī)

  •   6月17日消息,據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電高管周四表示,該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機(jī)?! ∨_(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會(huì)上表示,“展望未來(lái),臺(tái)積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī),為的是開(kāi)發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案,進(jìn)一步推動(dòng)創(chuàng)新?!薄 ∶子窠懿⑽赐嘎缎乱淮饪虣C(jī)引入后何時(shí)用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機(jī)能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾公司此前表示,將在2025年之前開(kāi)始使用新一代光刻機(jī)生產(chǎn)芯片,并
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臺(tái)積電加碼采購(gòu) 本土廠利多

  • 晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)建3奈米及更先進(jìn)制程晶圓廠,同時(shí)擴(kuò)大后段封測(cè)廠投資,除了看好5G及高效能運(yùn)算(HPC)芯片采用InFO或CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)已成主流趨勢(shì),也預(yù)期3DIC封裝架構(gòu)能夠延續(xù)摩爾定律。臺(tái)積電加強(qiáng)供應(yīng)鏈本土化并擴(kuò)大后段設(shè)備采購(gòu),包括萬(wàn)潤(rùn)、辛耘、弘塑、鈦升等業(yè)者直接受惠。臺(tái)積電在先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝的投資齊頭并進(jìn)。在晶圓廠投資部份,F(xiàn)ab 18廠已完成3奈米前期產(chǎn)能建置,并完成支持HPC運(yùn)算及智能型手機(jī)應(yīng)用的完整平臺(tái),為下半年量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。臺(tái)積電2奈米晶圓廠Fab 20建廠計(jì)劃已啟動(dòng),并采
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臺(tái)積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競(jìng)爭(zhēng)賽道進(jìn)入預(yù)熱模式

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電,在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展,預(yù)計(jì)在明年年中就將開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) ——?也就意味著臺(tái)積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計(jì),臺(tái)積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年,并于2025年量產(chǎn),之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺(tái)積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠計(jì)劃,設(shè)廠面積近95公頃,總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺(tái)幣,初期可創(chuàng)造4500個(gè)工作機(jī)會(huì)。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判,除了規(guī)劃2nm廠
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臺(tái)積電5月合并營(yíng)收1857.05億 續(xù)創(chuàng)單月?tīng)I(yíng)收歷史新高

  • 晶圓代工龍頭臺(tái)積電公告5月合并營(yíng)收1857.05億元,續(xù)創(chuàng)單月?tīng)I(yíng)收歷史新高。雖然外在環(huán)境變量沖擊消費(fèi)性電子產(chǎn)品終端銷售動(dòng)能,但包括車用芯片、工業(yè)自動(dòng)化、高效能運(yùn)算(HPC)等需求續(xù)強(qiáng),臺(tái)積電產(chǎn)能利用率維持滿載,第二季營(yíng)收表現(xiàn)有機(jī)會(huì)超越業(yè)績(jī)展望高標(biāo)。臺(tái)積電先進(jìn)制程及成熟制程產(chǎn)能全線滿載,5奈米及4奈米新增產(chǎn)能開(kāi)出,加上平均晶圓銷售價(jià)格上漲,新臺(tái)幣兌美元匯率趨貶,5月合并營(yíng)收達(dá)1857.05億元,較4月?tīng)I(yíng)收1725.61億元成長(zhǎng)7.6%,與去年同期1123.60億元相較成長(zhǎng)65.3%,改寫單月?tīng)I(yíng)收歷史新高紀(jì)錄
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蘋果M3芯片代號(hào)Palma 采用臺(tái)積電3nm工藝

  • WWDC2022上蘋果正式發(fā)布了搭載全新M2芯片的全新MacBook Air和 13英寸MacBook Pro機(jī)型。M2備受關(guān)注,然而現(xiàn)在蘋果下一代M系列芯片M3已經(jīng)曝光。數(shù)碼博主 @手機(jī)晶片達(dá)人表示,M3目前正在設(shè)計(jì)當(dāng)中,項(xiàng)目代號(hào)叫做Palma,預(yù)計(jì)2023/ Q3流片,采用臺(tái)積電3nm的工藝。當(dāng)然,這些都還只是傳言,蘋果官方還未公布確切消息,對(duì)新芯片感興趣的小伙伴兒可以持續(xù)關(guān)注跟進(jìn)報(bào)道。
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臺(tái)積電將砸 1 萬(wàn)億擴(kuò)大 2nm 產(chǎn)能,目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)

  •   6月6日消息,據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電將砸1萬(wàn)億新臺(tái)幣(約2290億元人民幣)在臺(tái)中擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局,有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。  臺(tái)積電總裁魏哲家在4月14日召開(kāi)的法說(shuō)會(huì)上表示,臺(tái)積電2nm預(yù)期會(huì)是最成熟與最適合技術(shù)來(lái)支持客戶成長(zhǎng),臺(tái)積電目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)。  臺(tái)積電將在2nm的節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu),另外還將采用新的材料,包括High mobility channel,2D,CNT等,其中2D材料方面,臺(tái)積電已挖掘石墨烯之外的其他材料,可以逐漸用
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(2022.5.30)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

  • 半導(dǎo)體周要聞2022.5.23- 2022.5.271. 中國(guó)半導(dǎo)體TOP 25榜單去年雖然面臨著疫情、缺芯、漲價(jià)等各種不確定性因素,但是2021年半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高漲,終端智能化需求和供應(yīng)鏈本土化趨勢(shì)越發(fā)明顯,中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商也迎來(lái)了發(fā)展良好的一年。Gartner最近發(fā)布了中國(guó)前25名半導(dǎo)體供應(yīng)商的排名情況。下圖是Gartner統(tǒng)計(jì)的中國(guó)前25名半導(dǎo)體供應(yīng)商排名(僅供參考,如有不同意見(jiàn),歡迎文末留言)。整體來(lái)看,前十名的企業(yè)營(yíng)收都已達(dá)10億美元左右,即使是第25名的廠商營(yíng)收也在5億美元左右,這說(shuō)明了中國(guó)
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臺(tái)積電介紹

  臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介   臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立,是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者,臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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